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Módulo SiC de potencia de 1700 V

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ROHM Semiconductor anuncia el desarrollo de un módulo SiC de potencia de 1700 V / 250 A que proporciona el más alto nivel de fiabilidad de la industria y que ha sido optimizado para sistemas de generación de energía en exteriores, tales como inversores para energía solar y convertidores de suministros industriales de alta potencia.

En los últimos años, debido a sus ventajas de ahorro de energía, el SiC se está utilizando cada vez más en aplicaciones de 1200 V, por ejemplo, en vehículos eléctricos y equipos industriales. La tendencia hacia una mayor densidad de potencia da como resultado mayores tensiones de sistema y, con ello, una mayor demanda de productos de 1700 V. Sin embargo, la dificultad radica en alcanzar la fiabilidad requerida, por lo que los IGBTs de Silicio siguen siendo la opción preferida para aplicaciones de 1700 V.

En respuesta, ROHM ha sido capaz de alcanzar una elevada fiabilidad en dispositivos de 1700 V, manteniendo al mismo tiempo el rendimiento bajo en pérdidas de sus productos de 1200 V, de gran popularidad, y logrando la primera comercialización exitosa de módulos de potencia de 1700 V basados en SiC.

Detalles del nuevo módulo SiC

Módulo SiC de potencia de 1700 VEl BSM250D17P2E004 utiliza nuevos métodos de construcción y materiales de revestimiento para evitar la ruptura dieléctrica y suprimir el aumento de la corriente de fuga. Como resultado, se logra una elevada fiabilidad que evita la ruptura dieléctrica incluso después de 1000 horas en pruebas de polarización con alta temperatura y alta humedad (HV-H3TRB). Esto asegura una tensión de bloqueo hasta 1700V, incluso en entornos severos de temperatura y humedad.

Al incorporar los ya conocidos MOSFET y diodos de barrera Schottky en base a SiC de ROHM en el mismo módulo y optimizando la estructura interna se consigue reducir la resistencia de conducción en un 10% con respecto a otros productos de SiC de su clase. Esto se traduce en un mayor ahorro de energía en cualquier aplicación.

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