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Memorias SRAM CMOS de 8 Mb

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Memorias SRAM CMOS de 8 Mb Alliance Memory ha ampliado su línea de memorias SRAM CMOS de 8 Mb de bajo consumo legacy con un nuevo circuito integrado de 8 Mb (512K x 16 bit) en un encapsulado TSOP-I de 12 x 20 mm y 48 pines.

El modelo AS6C8016-55TIN opera desde una fuente de alimentación de 2.7 a 3.6 V y ofrece un tiempo de acceso de 55 ns.

Este integrado, que se caracteriza por bajo consumo de energía (30 mA típico y 1.5 µA en standby), aporta eficiencia y estabilidad en dispositivos electrónicos portátiles, entornos industriales, telecomunicaciones, sanidad, automoción y networking. Resulta particularmente indicado en memorias no volátiles para realizar el backup de una batería.

Las memorias SRAM CMOS de 8 Mb AS6C8016-55TIN han sido fabricadas usando tecnología CMOS de alta fiabilidad y puede rendir en el rango de temperatura de -40 a +85 °C.

Este nuevo modelo RoHS proporciona una operación de almacenamiento totalmente estática y salida de tres estados, así como tensión de retención de datos de, al menos, 1.2 V, Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL.

Aplicaciones para las memorias SRAM CMOS de 8 Mb

Los IC legacy de Alliance Memory facilitan el reemplazo (compatibilidad pin a pin) de un gran número de soluciones similares. El AS6C8016-55TIN es la última incorporación de la compañía a su oferta de productos SRAM de bajo consumo, que se compone de dispositivos con densidades de 64K, 256K, 1M, 2M, 4M, 8M, 16M y 32M.

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