Las nuevas memorias SDRAM DDR4 CMOS de alta velocidad combinan bajo consumo de 1,2 V y transferencia de datos de 2400 y 2666 Mbps/pin para aumentar la eficiencia y el rendimiento.
Alliance Memory anuncia la ampliación de su oferta con una nueva línea de SDRAM DDR4 CMOS de alta velocidad. Con el objetivo de mejorar las prestaciones de los anteriores dispositivos DDR3, los modelos AS4C256M16D4 y AS4C512M8D4 de 4 Gb ofrecen mínimo consumo y elevadas transferencias de datos en encapsulados FBGA de 96-ball y 78-ball.
En comparación con las SDRAM DDR3, los nuevos dispositivos reducen las tensiones operativas de 1.5 V a +1.2 V (±0.06 V) para poder incrementar la vida de la batería en electrónica portátil, como notebooks, smartphones y tabletas.
Para aumentar la eficiencia y el rendimiento en ordenadores portátiles y servidores, el modelo AS4C256M16D4 de 256 Mb x 16-bit y el AS4C512M8D4 de 512 Mb x 8-bit ofrecen hasta dieciséis bancos de memoria y alcanzan velocidades de hasta 1333 MHz para ratios de transferencia extremadamente altos de 2400 Mbps/pin (1200 MHz) y 2666 Mbps/pin (1333 MHz).
Con mínimos die shrinks, las memorias SDRAM DDR4 proporciona un reemplazo compatible pin a pin para numerosas soluciones similares, eliminando así la necesidad de rediseños y recalificación de componentes.
Posibilidades con las nuevas memorias de alta velocidad
Disponibles en rangos de temperatura comercial (de 0 a +95 °C) e industrial (de -40 a +95 °C), los dispositivos están especialmente indicados en entornos industriales, sanidad, IoT, automoción, juegos y consumo.
Las memorias AS4C256M16D4 y AS4C512M8D4 soportan tipos de burst secuencial e intercalado con longitudes de lectura y escritura de BL8/BC4/BC4 u 8 en caliente.
Las características se completan con una función de precarga automática y funciones refresh o self-refresh.
Son compatibles con JEDEC y RoHS al estar libres de plomo y halógenos.
