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Memorias BiCS FLASH 3D de quinta generación

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Las nuevas memorias BiCS FLASH 3D de quinta generación añaden capas, aumentan la capacidad, incorporan un ancho de banda más amplio y proporcionan una nueva flexibilidad de diseño.

KIOXIA, fabricante de soluciones de memoria, anuncia el desarrollo con éxito de sus memorias flash tridimensionales BiCS FLASH de quinta generación con una estructura apilada verticalmente de 112 capas.

Con una capacidad de 512 Gigabits (64 Gigabytes) con tecnología de 3 bit por celda (celda de triple nivel, TLC), para aplicaciones específicas tienen como objetivo satisfacer las demandas de bits cada vez mayores para una amplia variedad de aplicaciones, incluidos dispositivos móviles tradicionales, SSD para consumidores y empresas, aplicaciones emergentes habilitadas por las nuevas redes 5G, inteligencia artificial y vehículos autónomos.

En el futuro, Kioxia aplicará su nueva tecnología de proceso de quinta generación a dispositivos de mayor capacidad, como TLC de 1 Terabit (128 Gigabytes) y dispositivos de 1,33 Terabit de 4 bits por celda (celda de nivel cuádruple, QLC).

Tecnología en las memorias BiCS FLASH

La innovadora tecnología de proceso de apilamiento de 112 capas de esta firma se combina con la tecnología avanzada de circuitos y procesos de fabricación para aumentar la densidad de la matriz de células en aproximadamente un 20 por ciento sobre el proceso de apilamiento de 96 capas.

Memorias BiCS FLASH 3D de quinta generación

Así, la nueva tecnología reduce el coste por bit y aumenta la capacidad de fabricación de memoria por oblea de silicio. Además, mejora la velocidad de la interfaz en un 50 por ciento y ofrece un mayor rendimiento de programación y una latencia de lectura más corta.

Desde el anuncio del primer prototipo de tecnología de memoria Flash 3D*2 del mundo en 2007, el fabricante ha seguido avanzando en el desarrollo de la memoria flash 3D y está promoviendo activamente BiCS FLASH para satisfacer la demanda de mayores capacidades con tamaños de pastilla más pequeños.

La quinta generación de memorias BiCS FLASH se desarrolló conjuntamente con Western Digital Corporation, socio tecnológico y de fabricación. Se fabricará en la planta de Yokkaichi y en la planta de Kitakami de nueva construcción.

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