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Memoria SDRAM LPDDR4X de 8 GB de bajo consumo

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Con operación de 0,6 V y velocidades de reloj de 1,6 GHz, la nueva memoria SDRAM LPDDR4X, denominada AS4C256M32MD4V-062BAN, aumenta la eficiencia y el rendimiento.

Alliance Memory amplía su oferta de SDRAM móvil CMOS de alta velocidad y bajo consumo con un nuevo dispositivo LPDDR4X que cuenta con ECC on-chip. Proporcionando una extensión de las SDRAM LPDDR4 de cuarta generación de la compañía, el AS4C256M32MD4V-062BAN de 8 GB disminuye el consumo de energía un 50 por ciento en un encapsulado FBGA 200-ball.

Así, con una operación de baja tensión (0,6 V) en comparación con las SDRAM LPDDR4 (de 1,1 V), el nuevo modelo contribuye a “incrementar la vida de la batería en dispositivos electrónicos portátiles para los mercados de consumo, comercial e industrial”, incluyendo teléfonos móviles, altavoces inteligentes y otros productos IoT con tecnologías IA y 5G.

Al aumentar la eficiencia de las funciones de audio y vídeo de alta resolución en aplicaciones embebidas, la SDRAM LPDDR4X alcanza velocidades de reloj de 1,6 GHz para unas ratios de transferencias extremadamente altas de 3,2 Gbps. Para el sector del automóvil, incluyendo los sistemas avanzados de ayuda al conductor (ADAS), los dispositivos con la calificación AEC-Q100 rinden en el rango de temperatura de -40 a +105 °C.

Funcionamiento de la memoria SDRAM LPDDR4X de 8 Gb

Inicialmente, la AS4C256M32MD4V-062BAN se organiza como dos canales por dispositivo, con canales individuales compuestos por ocho bancos de 16 bits.

Por otro lado, ofrece operación totalmente simultánea y longitudes burst de lectura y escritura programables de 16, 32 y on the fly. Un sensor de temperatura on-chip controla el estado self-refresh.

Además, la nueva SDRAM LPDDR4X garantiza un reemplazo compatible en pines para numerosas soluciones simulares en aplicaciones de sistema de memoria de elevado ancho de banda, eliminando la necesidad de tener que volver a realizar diseños costosos y calificaciones de componentes.

Para los interesados, existe más información de la memoria SDRAM LPDDR4Xde 8 GB en este enlace.


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