Combinando una densidad de 2 – 4 Gbit con una frecuencia sostenida de 100 MHz y una dureza total a radiación de 100 krad (Si), la memoria SDRAM 84SD ofrece un almacenamiento de alto rendimiento que encaja en los sistemas espaciales más compactos.
La firma PDC (Power Device Corporation) presenta su nueva memoria síncrona de acceso dinámico, la memoria SDRAM 84SD orientada a misiones espaciales que precisan tanto una potencia de proceso elevada, como gran capacidad de almacenamiento de datos.
Desde el primer ciclo, dicho componente pone a disposición de los ingenieros un banco de 64 – 128 Meg × 32 bit, lo cual se traduce en 2 – 4 Gbit totales, mientras que mantiene una arquitectura SDR sobradamente contrastada en entornos aeroespaciales.
De tal forma, la comunicación con el procesador se produce a un ritmo constante de 100 MHz, empleando ciclos con single-pulsed RAS y funcionalidad auto-refresh que simplifican la gestión de la memoria sin sacrificar rendimiento.
En primer lugar, su compatibilidad con la alimentación JEDEC de 3,3 V facilita su integración en placas ya existentes, mientras que las entradas y salidas LVTTL garantizan la adaptación a buses de datos heterogéneos sin recurrir a conversores adicionales.
Por su parte, los modos de power-down y suspensión de reloj permiten reducir el consumo energético durante fases inactivas de la misión, algo crucial cuando los recursos a bordo son limitados.
Arquitectura SDR de alta velocidad
La 84SD se beneficia de dos secuencias de ráfaga —secuencial e intercalada— con tamaños programables de 1/2/4/8 palabras o página completa, de modo que el desarrollador puede ajustar de forma granular el acceso a datos según la carga de trabajo.
Asimismo, la latencia CAS, seleccionable entre 2 y 3 ciclos, aporta un margen adicional para equilibrar ancho de banda y consumo. De esta manera, aplicaciones tan dispares como el procesamiento de imágenes hiperespectrales o la navegación autónoma de satélites logran maximizar simultáneamente velocidad y eficiencia.
Mientras tanto, el encapsulado cerámico hermético de 84 pines contribuye a disipar el calor en órbita y protege la matriz frente a los severos gradientes de temperatura propios del vacío espacial, con lo que el dispositivo soporta un amplio rango operativo que va desde los -55 hasta los +125 °C, asegurando fiabilidad incluso durante lanzamientos o maniobras de reentrada atmosférica.
Resistencia a la radiación certificada
Uno de los rasgos más sobresalientes radica en su dureza total a la radiación, verificada hasta 100 krad (Si), así como en la inmunidad frente a efectos de evento único, con un umbral SELTH superior a los 80 MeV · mg/cm² a +85 °C.
Sin embargo, el fabricante no se queda ahí, y respalda estas cifras mediante pruebas adicionales de ion pesado y protones, garantizando que los picos de flujo de partículas no provoquen pérdidas de datos ni enclavamientos latentes.
En consecuencia, los integradores de cargas útiles científicas, unidades de almacenamiento masivo o plataformas de inteligencia a bordo, pueden confiar en una solución de memoria que aúna densidad, velocidad y robustez contra la radiación.
Con todo, el formato de palabras de 32 bits se mantiene constante a lo largo de toda la gama, lo que simplifica la replicación de diseños y la ampliación de la capacidad sin rediseñar los controladores de memoria.
Gracias a su escalabilidad de 2 – 4 Gbit, esta memoria facilita la construcción de bancos en paralelo, de forma que las arquitecturas multicanal alcancen anchos de banda superiores sin incurrir en complejidad adicional.
Por otro lado, la programación de ráfagas y latencias mediante registros internos permite a los desarrolladores adaptar la temporización al microprocesador elegido, obteniendo así una sinergia óptima entre cómputo y almacenamiento.
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