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Memoria no volátil F-RAM paralela

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Memoria no volátil F-RAM paralela

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock de la memoria no volátil FRAM paralela Parallel F-RAM Non-Volatile Memory de Cypress Semiconductor. Dicha familia de Ferroelectric Random Access Memories (FRAM) lee y escribe como SRAM convencional y retienen los datos si falla la alimentación como sucede con Flash.

Esta memoria no volátil FRAM paralela de alta fiabilidad ofrece una amplia variedad de opciones de interface y densidad, con tamaños de entre 64 kbit y 4 Mbit y retención de datos de hasta 151 años.

Los nuevos modelos, que pueden reemplazar a las SRAM estándares, aportan una alternativa rápida y eficiente. Todas las celdas proporcionan bajo consumo y rinden sin bomba de carga.

Las celdas de memoria FRAM Cypress se caracterizan por su elevada resistencia, con cien trillones de ciclos de lectura / escritura, así como por protección de corrupción de datos ante radiación gamma e interferencia electromagnética (EMI).

Aplicaciones para la nueva memoria no volátil F-RAM paralela

Esta familia de memorias, que es compatible con RoHS y opera en el rango de temperatura industrial (de -40 a +85 °C) con una tensión de alimentación de 3.3 a 5 V, resulta ideal automoción, informática, networking, contadores inteligentes e impresoras multifuncionales.