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Memoria FRAM serie de 4 Mbit compatible con EEPROM

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La memoria FRAM serie de 4 Mbit compatible con EEPROM, modelo MB85RS4MT, no volátil resulta ideal en registros de datos en tiempo real como posicionamiento 3D.

Memoria FRAM serie de 4 Mbit compatible con EEPROMEn un entorno cambiante, con creciente volumen de datos de sensores y la expansión de edge-computing, existe una mayor demanda de más ciclos de lectura / escritura, menos tiempo de escritura de datos y más densidad de memoria.

Por estos motivos, Fujitsu Semiconductor ha desarrollado la MB85RS4MT, una FRAM (memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio) de 4 Mbit con la máxima densidad de la familia de interfaz serie (SPI) de memorias no volátiles FRAM de la compañía.

El nuevo producto satisface las necesidades de aquellos clientes que necesitan algo más que las EEPROM actuales. La MB85RS4MT es la solución óptima en aplicaciones en tiempo real o registro de datos frecuente, como grabadores de dirección / navegación, robots industriales, herramientas control numérico informático (CNC), equipos de medida, contadores inteligentes y equipos de consumo.

Esta memoria FRAM serie de 4 Mbit garantiza 10 trillones de ciclos de lectura / escritura, que es casi 10 millones de veces más que lo ofrecido por cualquier EEPROM del mercado. Esto asegura la ausencia de cuellos de botella.

También se distingue por operación de alta velocidad al escribir datos con una secuencia de sobreescritura sin borrado. Las memorias no volátiles convencionales, como EEPROM y memoria Flash requieren tiempo adicional para la operación de borrado. Esta velocidad protege ante caídas de tensión.

Usos de la memoria FRAM serie de 4 Mbit

Como la MB85RS4MT rinde con un rango de tensión de alimentación de 1,8 a 3,6 V, se puede emplear en productos finales con otros componentes electrónicos periféricos de 1,8 o 3,6 V. Y su corriente operativa es muy baja (hasta 250 µA) a 1 MHz, con una corriente standby de 50 µA. Esto implica mínimo consumo de emergía.

Las características se completan con frecuencia máxima de 40 MHz y rango de temperatura de -40 a +85 °C.

Esta nueva memoria FRAM serie de 4 Mbit se suministra en un encapsulado SOP de 8 pines, lo que fomenta la sustitución de EEPROM en SOP de 8 pines.

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