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MB85R8M2TA FRAM de 8 Mbit con resistencia de escritura de cien trillones de ciclos

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La memoria FRAM MB85R8M2TA, que es ideal para máquinas industriales, combina velocidad y eficiencia.

Fujitsu Semiconductor Memory Solution lanza la FRAM de 8 Mbit (512K x 16 bit) MB85R8M2TA con interfaz paralela que, según la compañía, se convierte en el “primer producto de su familia FRAM en garantizar cien trillones de ciclos de lectura/escritura”.

El nuevo producto no volátil combina operaciones de alta velocidad y bajo consumo al ser un 30 por ciento más rápido y 10 por ciento más eficiente que modelos convencionales de Fujitsu. Por ello, este circuito integrado (CI) de memoria es un reemplazo ideal de SRAM en aquellas máquinas industriales de elevada velocidad operativa.

Aunque Fujitsu ofrece la FRAM de 8 Mbit MB85R8M2T con interfaz paralela desde junio de 2018, ahora responde a la demanda de los clientes de resistencia de escritura garantizada de más de diez trillones de ciclos, operación tan rápida como SRAM y compatibilidad de encapsulado TSOP a SRAM.

Otras características destacables

El MB85R8M2TA con una interfaz paralela compatible con SRAM funciona con un amplio rango de tensión de alimentación (de 1,8 a 3,6 V) y de temperatura (de -40 a +85 °C) y opera a 25 ns en modo fast page, una velocidad de acceso similar a la de SRAM con transferencia de datos continua. Además, la eficiencia queda garantizada con una corriente de escritura máxima de 18 mA, una corriente en standby de 150 µA y una corriente en sleep de 10 µA.

MB85R8M2TA FRAM de 8 Mbit con resistencia de escritura de cien trillones de ciclos

También se distingue por eliminar la necesidad de batería de respaldo de datos para SRAM

La nueva solución se presenta en un encapsulado TSOP de 44 pines, que es el mismo de la FRAM de 4 Mbit de Fujitsu, así como en un FBGA de 48 pines.

Existe más información de las memorias FRAM en este enlace.

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