Inicio Almacenamiento MB85AS12MT ReRAM de 12 Mbit para dispositivos vestibles

MB85AS12MT ReRAM de 12 Mbit para dispositivos vestibles

1616
0

La ReRAM MB85AS12MT combina densidad y eficiencia en un encapsulado WL-CSP de once pines.

Fujitsu Semiconductor Memory Solution anuncia el lanzamiento del modelo MB85AS12MT, una memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM) de 12 Mbit (1.5 M x 8 bit), que supone la mayor densidad de la familia ReRAM de la compañía.

Esta memoria no volátil, que se presenta en un encapsulado de 2 x 3 mm, opera con una tensión de alimentación de 1,6 a 3,6 V y ofrece un mínimo consumo de energía (de 0,15 mA con una frecuencia de 5 MHz o 1 mA con 10 MHz) durante las operaciones de lectura.

La combinación de formato diminuto y eficiencia hace que resulte ideal en dispositivos vestibles como audífonos y relojes inteligentes.

Así pues, la MB85AS12MT proporciona una densidad de memoria 1,5 veces superior a la de las ReRAM de 8 Mbit existentes y mantiene el mismo encapsulado WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package) y la misma asignación de pines.

Incluso puede almacenar la información equivalente a unas noventa páginas de un periódico.

Precisamente, el WL-CSP de once pines puede ahorrar alrededor de un 80 por ciento del área de superficie de montaje con respecto a un SOP de 8 pines, frecuentemente utilizado por dispositivos de memoria con interfaz SPI.

MB85AS12MT ReRAM de 12 Mbit para dispositivos vestibles

La nueva ReRAM también se distingue por un rango de temperatura de -40 a +85 °C, una resistencia de lectura “ilimitada” y una resistencia de escritura de 500.000 operaciones.

Por lo tanto, este nuevo producto pretende solventar algunos problemas derivados del uso de memoria Flash o EEPROM en el desarrollo de dispositivos vestibles.

Existe más información de la ReRAM de 12 Mbit en este enlace.

DEJA UNA RESPUESTA

Por favor ingrese su comentario!
Por favor ingrese su nombre aquí

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.