Estos LV MOSFET se distinguen por una Rss(on) muy baja para respaldar procesos de recarga rápida.
Ante el aumento de la demanda de teléfonos móviles LTE y 5G de gama alta, las funciones de protección y la extensión de la vida de la batería resultan cada vez más importantes. En particular, los teléfonos 5G necesitan una autonomía superior para soportar el procesamiento de grandes cantidades de datos y su descarga rápida.
Por este motivo, Magnachip Semiconductor anuncia el lanzamiento de una nueva generación de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor y baja tensión (LV MOSFET) con una Rss(on) muy baja para módulos de circuito de protección (PCM) en teléfonos móviles inteligentes.
Estos LV MOSFET 6.5G incorporan funciones de protección ante la sobretensión y la sobrecarga para ayudar a extender la vida de la batería y reducir el sobrecalentamiento.
La Rss(on) es un 20 por ciento inferior a la de la anterior versión con el mismo tamaño de chip para disminuir a pérdida de corriente y mejorar la disipación de calor.
Esta Rss(on) más baja controla una densidad de potencia por encima de 25 W para evitar el sobrecalentamiento de la batería y proteger los PCM en los procesos de recarga rápida.
Además, la funcionalidad PCM incorpora un diodo de protección de descarga electrostática (ESD), que mitiga hasta 2 kV, según un modelo human-body, para impedir daños en otros componentes del smartphone.
Su tamaño diminuto también se ajusta a las necesidades de los nuevos terminales inteligentes que irán llegando al mercado.
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