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Kit de evaluación USB-C PD

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Pensado para ofrecer un bajo consumo en modo standby, el kit de evaluación USB-C PD utiliza tres controladores principales y dos FETs.

Las compañías Transphorm y Diodes presentan su nuevo kit de evaluación de pinza activa SuperGaN con flyback para USB-C Power Delivery (PD) de 130 W.

Esta nueva solución utiliza FETs SuperGan de cuarta generación, patentados por Transphorm, combinados con los innovadores controladores ACF de Diodes, con factor de corrección de potencia en la entrada.

El producto resultante de dicha combinación proporciona un bajo consumo en modo standby, una mayor eficiencia, un buen rendimiento térmico, y un coste total también optimizado, todo ello en comparación con los sistemas basados en el silicio y GaN e-mode.

El nuevo kit de evaluación USB-C PD de Diodes y Transphorm excede los requisitos de eficiencia energética de las normativas DOE VI y COC Tier 2, y permite una mayor densidad de potencia.

Características y propiedades del kit

Entre las capacidades que presenta el kit encontramos un pico de eficiencia energética que supera el 93,5%, un factor de alta potencia de más del 0,9 sobre una línea con más del 60% de carga, una distorsión armónica total (THD por sus siglas en inglés) ultra baja de menos del 18% sobre una línea con más del 60% de carga, así como un consumo en standby que no supera los 43 mW y una temperatura de conmutación tan baja como menos de 75 grados centígrados.

Utiliza tres controladores principales de Diodes y dos FETs SuperGaN de Transphorm, empezando por el AP3306, que es un controlador ACF altamente integrado diseñado para ofrecer un consumo ultra bajo en modo standby y una alta densidad de potencia con mecanismos de protección incorporados.

Kit de evaluación USB-C PD

También tenemos el APR340, un controlador MOSFET para rectificación síncrona en lado secundario; el AP43771V, un decodificador USB Tipo-C PD3.0 con un control de encendido y apagado MOSFET N-channel y robustas funcionalidades de protección; y dos dispositivos TP65H150G4LSG, que consisten en FETs SuperGaN de 650 V y 150 mOhmios, con uno de ellos destinado a la etapa de control PFC y el otro a la de control ACF.

Podemos encontrar más información sobre este kit en el sitio web de Diodes.

En prensa escrita, especialmente online, ha tenido experiencia propia editando y dirigiendo su propio medio, y desde hace unos años trabaja como colaborador freelance para varias publicaciones técnicas.

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