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GaNFast de 700 V con tecnología GaNSense para cargadores rápidos móviles

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Los circuitos GaNFast de 700 V NV613x y NV615x aportan mejoras en eficiencias y fiabilidad.

Navitas Semiconductor, fabricante de circuitos integrados de alimentación de nitruro de galio (GaN), anuncia la actualización de sus CI de alimentación GaNFast con tecnología GaNSense con la intención de “incrementar la eficiencia y la densidad de potencia y así poder acceder a mercados adicionales de recarga rápida”.

GaN es una tecnología de semiconductor de próxima generación que es hasta un 20 por ciento más rápida que el silicio y permite triplicar la potencia y la rapidez de carga, con un ahorro de energía del 40 por ciento, en la mitad de tamaño y peso.

“Los CI de alimentación GaNFast ya proporcionan la máxima fiabilidad y el máximo rendimiento en el mercado de recarga rápida móvil”, destaca Dan Kinzer, COO/CTO y cofundador de Navitas. “Nuestros equipos de ingeniería y calidad siguen desarrollando tecnología de próxima generación con un enfoque probado que permite a los clientes innovar en sus diseños de conversión de potencia y recarga rápida y acceder a más mercado del mundo”.

Algunas de sus mejores características

Los circuitos de alimentación GaNFast de 700 V integran potencia GaN y funciones de protección y control para garantizar eficiencia y rapidez en un formato más compacto. Según la compañía, ya se han suministrado más de treinta millones de circuitos GaNFast “con cero fallos reportados sobre el terreno”.

El rango de tensión de los modelos NV613x y NV615x se ha actualizado de 650 a 700 V para operación continua y está asignada a 800 V para transitorios.

Esta mejora respalda diseños de circuito de transformador de potencia más eficientes y capacidades superiores en aquellas zonas donde la red de suministro eléctrico es poco fiable al soportar picos de tensión.

GaNFast de 700 V con tecnología GaNSense para cargadores rápidos móviles

Además, las funciones de monitorización y reacción autónomas a nivel sistema “detectan y protegen” en 30 ns, diez veces más rápido que con implementaciones discretas.

Información sobre la tecnología: https://navitassemi.com/gallium-nitride-the-next-generation-of-power/

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