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Circuito de alimentación GaN con tecnología GaNSense

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Los nuevos CI de alimentación de tercera generación ofrece funciones de sensado y protección en tiempo real a los cargadores móviles.

Navitas Semiconductor, fabricante de circuitos integrados (CI) de alimentación de nitruro de galio (GaN), anuncia el lanzamiento de los CI de alimentación GaNFast con tecnología GaNSense, que incorporan circuitos de sensado y protección en tiempo real para “mejorar la fiabilidad y la robustez” y, al mismo tiempo, incrementar el ahorro de energía y los beneficios de recarga rápida de la tecnología GaN IC de la compañía.

GaN es una tecnología de semiconductores de próxima generación que opera veinte veces más rápida que las soluciones de silicio legacy, con el triple de potencia y rapidez de recarga en la mitad de espacio y peso. Los CI GaNFast de Navitas integran potencia GaN y funciones de protección y control para dotar de un rendimiento más eficiente.

GaNSense, por su parte, integra sensado en tiempo real de los parámetros de sistema, como corriente y temperatura. Esto se traduce en una capacidad de sensado patentada que ahorra hasta un 10 por ciento de corriente con respecto a generaciones previas. También aporta mejoras en seguridad.

“De la detección a la protección es 30 ns, la tecnología GaNSense es un 600 por ciento más rápida que las implementaciones GaN discretas”, destaca Dan Kinzer, COO/CTO y cofundador de Navitas. “Los nuevos CI de próxima generación ofrecen precisión y protegen ante los fallos de sistema potenciales. Junto con la inmunidad a transitorios de hasta 800 V, el control de forma de onda de puerta y la regulación de tensión, proporcionan un estándar en fiabilidad, robustez y rendimiento a los semiconductores de potencia”.

Modelos y sus características técnicas

La nueva familia con tecnología GaNSense consta de diez productos con funciones de control y protección, tensión asignada a 650/800 V con protección ante la descarga electrostática (ESD) de 2 kV y rango de RDS(ON) de 120 a 450 mΩ en un encapsulado PQFN de 5 × 6 y 6 × 8 mm.

Estos CI GaN de tercera generación se optimizan para las topologías de conversión modernas, incluyendo high-frequency quasi-resonant (HFQR) flyback, active-clamp flyback (ACF) y PFC boost, muy populares entre los cargadores y los adaptadores más eficientes del mercado.

Circuito de alimentación GaN con tecnología GaNSense

Las aplicaciones abarcan cargadores rápidos para teléfonos móviles y ordenadores portátiles, así como PC “todo en uno”, televisores y sistemas de red y automatización en el hogar.

Por ejemplo, la tecnología GaNSense ya se utiliza en el cargador de 65 W del ordenador portátil YOGA de Lenovo.

Información sobre la tecnología: https://navitassemi.com/gallium-nitride-the-next-generation-of-power/

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