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FETs de GaN con conmutación rápida

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Con tiempos de incremento muy rápidos y pulsos poco anchos, estos FETs de GaN han sido diseñados para su uso en sistemas LiDAR.

FETs de GaN con conmutación rápidapSemi Corporation (la antigua Peregrine Semiconductor), una compañía propiedad de Murata dedicada a la integración de semiconductores, ha anunciado la disponibilidad de sus FET (field-effect transistor) de nitruro de galio (GaN) PE29101 para sistemas de estado sólido de detección de luz y ranging (LiDAR, por sus siglas en inglés).

El PE29101 presenta los tiempos más rápidos de incremento y el menor ancho de pulso de la industria, según la compañía fabricante. Estos drivers de alta velocidad facilitan a los ingenieros de diseño la posibilidad de sacarle el máximo rendimiento y la velocidad de switching a los transistores GaN.

En los sistemas LiDAR de estado sólido, una mayor velocidad de switching se traduce en una mejora de la resolución y de la precisión en la imagen LiDAR. Gracias a ello el FET de GaN PE29101 de pSemi habilita la imagen de mayor resolución posible, desatando todo el potencial de la tecnología LiDAR.

Dicha tecnología opera con los mismos principios del radar, aunque utilizando láseres pulsantes para mapear, de forma precisa, las áreas que se encuentran a su alrededor. Tradicionalmente empleada en el mapping de alta resolución, la tecnología LiDAR es ahora utilizada en programas avanzados de asistencia a la conducción (ADAS) en vehículos autónomos.

Otras características de los nuevos FETs de GaN con conmutación rápida

Entre las capacidades del PE29101, encontramos una frecuencia de switching de 40 Mhz, un tiempo de rise/fall de 1 nanosegundo con carga de 100 pF, un ancho mínimo de pulso de salida de 2 nanosegundos, un manejo de voltaje de 80 V, y una corriente source/sink de 2 A/4 A. El encapsulado es del tipo flip-chip die y opera con una corriente que va desde los 4 hasta los 6,5 V.

Es un driver FET half-bridge que permite controlar las puertas de los transistores GaN. Sus salidas son capaces de proporcionar velocidades de transición de switching en el rango del sub-nanosegundo para aplicaciones de switching que van hasta los 40 Mhz.

Ya se encuentran disponibles en forma de muestras, y también se pueden adquirir kits de evaluación.

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