Inicio Componentes activos FET SiC de 650 V en encapsulado TO220-3L y D2PAK-3L

FET SiC de 650 V en encapsulado TO220-3L y D2PAK-3L

1046
0

Los siete nuevos modelos de FET SiC de 650 V en las series UJ3C y UF3C se dirigen a servidores de centros de datos, estaciones base 5G y vehículos eléctricos.

UnitedSiC incorpora siete nuevas combinaciones de componentes y encapsulados TO220-3L y D2PAK-3L a sus series UJ3C (propósitos generales) y UF3C (hard switched) de FET SiC de 650 V.

Estos modelos ofrecen nuevos niveles de rendimiento con alta tensión en aplicaciones de rápido crecimiento como servidores de centros de datos, estaciones base 5G y vehículos eléctricos, donde se pueden emplear como fuentes de alimentación, rectificadores de telecomunicaciones y cargadores on-board, respectivamente.

De esta forma, se convierten en una buena alternativa para aquellos diseñadores que se decantan por un encapsulado TO220 o D2PAK de 3-lead a la hora de mejorar el rendimiento en circuitos de corrección de factor de potencia, convertidores resonantes LLC y convertidores phase-shifted full-bridge.

Todas las versiones UJ3C y UF3C facilitan el reemplazo de otros modelos. Los profesionales pueden aumentar las prestaciones del sistema, sin necesidad de cambiar la tensión de control de puerta, al poder sustituir los actuales dispositivos Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET o Si superjunction devices por un FET de UnitedSiC.

Ambas series se basan en la configuración de circuito de “cascada” exclusiva de la compañía, en la que un JFET SiC normally-on se encapsula junto a un MOSFET Si para crear un FET SiC normally-off con características de control de puerta estándares. Como resultado, los sistemas se pueden actualizar con estos FET “drop-in replacement” para incrementar el rendimiento con menores pérdidas de conducción y conmutación, mejores propiedades térmicas y protección ante la descarga electrostática (ESD) de puerta.

Diseñando con los FET SiC de 650 V

FET SiC de 650 V en encapsulado TO220-3L y D2PAK-3L

En el caso de los nuevos diseños, los FET proporcionan frecuencias de conmutación superiores para aumentar los beneficios de sistema tanto en eficiencia como en reducción de tamaño y coste de componentes pasivos, como imanes y condensadores.

El encapsulado TO220-3L 3-lead dota de características térmicas posibilitadas por la tecnología de plata sinterizada de UnitedSiC. Los nuevos productos disponibles en este encapsulado incluyen el dispositivo UJ3C con valores de RDS(on) de 30 y 80 mΩ y el UF3C con especificación RDS(on) de 40 mΩ.

El D2PAK-3L 3-lead, por su parte, se dirige a diseños de montaje superficial y posee las certificaciones IPC y JEDEC (Nivel 1 de Sensibilidad a la Humedad). Entre las novedades se encuentran el UJ3C con RDS(on) de 30 y 80 mΩ y el UF3C con RDS(on) de 30 y 40 mΩ.

También existen versiones AEC-Q101 que cumplen los requisitos del sector del automóvil.

DEJA UNA RESPUESTA

Please enter your comment!

  Acepto la politica de privacidad y la suscripcion gratuita al semanario de noticias.

Informacion sobre proteccion de datos

  • Responsable: NTDhoy, S.L.
  • Fin del tratamiento: Controlar el spam, gestion de comentarios
  • Legitimacion: Su consentimiento
  • Comunicacion de los datos: No se comunican los datos a terceros salvo por obligacion legal.
  • Derechos: Acceso, rectificacion, portabilidad, olvido.
  • Contacto: info@ntdhoy.com.
  • Informacion adicional: Mas informacion en nuestra politica de privacidad.

Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.