Inicio Componentes activos EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas

EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas

1936
0

El FET GaN rad-hard EPC7007 ofrece una RDSon ultrabaja en un formato diminuto (5,76 mm²).

EPC anuncia la introducción del FET de nitruro de galio (GaN) radiation-hardened (radhard) EPC7007 con valores de 200 V, 25 mΩ y 80 A en un formato de 5,76 mm². Tiene una ratio de dosis total superior a 1 Mrad y una inmunidad SEE para LET de 85 MeV/(mg/cm²) y se presenta en un encapsulado chipscale, el mismo de FET y CI eGAN comerciales.

En comparación con dispositivos de silicio rad-hard con RDSon similar, el EPC7007 es cuarenta veces más compacto que QG y QGD zero reverse recovery (QRR).

Y, con mayor fuerza, menor carga de puerta y pérdida de conmutación y mejor conductividad térmica, los dispositivos basados en GaN superan las prestaciones de las alternativas de silicio y respaldan un aumento en la densidad de potencia y la eficiencia en misiones aeroespaciales críticas.

Así pues, las aplicaciones que se pueden beneficiar del rendimiento y la rapidez de despliegue del EPC7007 abarcan alimentación DC-DC, motores, lidar, sondas de penetración profunda y propulsores iónicos para aplicaciones espaciales, satélites y aviónica.

Comentarios sobre el nuevo componente electrónico

EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas

“Inicialmente, nuestra tecnología GaN posibilita una nueva generación de soluciones de conversión de potencia y motor drives en el espacio que operan con frecuencias, eficiencias y densidades de potencia superiores a las alcanzadas anteriormente. El EPC7007 ofrece a los diseñadores una solución con una figura de mérito cincuenta veces mayor a los dispositivos rad-hard de silicio”, afirma Alex Lidow, CEO y cofundador de EPC. “El EPC7007 amplía el rango de tensión de nuestra familia rad-hard a 200 V y dota de una reducción significativa de tamaño y coste”.

Y, para terminar, los lectores interesados podéis encontrar más información del FET GaN en este enlace.


SERVICIO AL LECTOR gratuito para ampliar info de este producto


DEJA UNA RESPUESTA

Por favor ingrese su comentario!
Por favor ingrese su nombre aquí

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.