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Encapsulado para IGBT hasta 120 A

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Encapsulado para IGBT hasta 120 A

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha ampliado su portfolio de IGBT discretos para aplicaciones de elevada potencia con la introducción del encapsulado para IGBT hasta 120 A TO-247PLUS.

La nueva solución permite integrar un IGBT de hasta 120 A con un diodo en el mismo footprint y patillaje de salida del TO-247-3 JEDEC.

El nuevo encapsulado para IGBT ha sido creado para montaje por clip o presión en el heat sink (disipador de calor). Estas técnicas garantizan una distribución homogénea de la presión sobre el TO-247PLUS, incrementando la conductividad y la estabilidad mecánica, incluso en situaciones con presencia de choque y vibración.

La ausencia del hueco de montaje permite que este encapsulado pueda acomodar un área de die de silicio un 70 por ciento mayor que el TO-247 estándar. Además, el área de pad térmica un 26 por ciento mayor contribuye a disminuir la resistencia térmica – Rth (jh) un 20 por ciento.

La cubierta del TO-247PLUS tiene unos “plastic trousers” especiales para incrementar la distancia de creepage a 4.25 mm, 2 mm más que TO-247-3. Esta cubierta también ayuda a aumentar la fiabilidad y la duración del IGBT.

Aplicaciones para el nuevo encapsulado para IGBT

El TO-247PLUS se puede emplear en aplicaciones industriales, como SAI, soldadura, energía solar o drivers, y de automoción, como inversores en sistemas de transmisión, para actualizar desarrollos existentes con mejoras en potencia de salida y condiciones térmicas. Su mayor capacidad de corriente permite reducir el número de componentes necesarios en diseños compactos.

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