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Dispositivos resistentes a la radiación con encapsulado plástico

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Estos dispositivos rad-hard plásticos son componentes electrónicos resistentes a la radiación que resultan ideales en satélites en órbitas terrestres medias y geosincrónicas.

Renesas Electronics Corporation, fabricante de semiconductores avanzados, lanza una nueva línea de dispositivos resistentes a la radiación (rad-hard) con encapsulado plástico para sistemas de gestión de alimentación de satélite.

Las novedades incluyen el regulador buck de punto de carga (PoL) ISL71001SLHM/SEHM, los aislantes digitales ISL71610SLHM e ISL71710SLHM y el controlador low-side integrado y FET GaN de 100 V ISL73033SLHM.

Algunas características

Combinando los elevados niveles de resistencia rad-hard con las ventajas de ahorro de espacio y coste del encapsulado plástico, la nueva gama ofrece soluciones de grado espacial para misiones en órbitas terrestres medias y geosincrónicas (MEO y GEO) y satélites de pequeño tamaño (smallsats) y electrónica de mayor densidad.

Estos circuitos integrados (CI) también complementan a los CI con encapsulado plástico y tolerantes a la radiación introducidos por Renesas en 2017 para smallsats en órbitas terrestres bajas (LEO).

Tradicionalmente, los CI resistentes a la radiación se producían usando encapsulados cerámicos herméticamente sellados que requerían fiabilidad y reducción de tamaño y peso. Los nuevos modelos plásticos rad-hard ahora ayudan a reducir las dimensiones y el coste sin comprometer el rendimiento.

Para garantizar una operación fiable en el espacio, los nuevos dispositivos se someten a pruebas de producción QMLV y superar el Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT). Los test de producción incluyen CSAM del cien por ciento, rayos X, ciclos de temperatura e inspección visual, alineados con el estándar SAE AS6294/1 para microelectrónica con encapsulado plástico en el espacio.

Los CI rad-hard ofrece una dosis total de ionización (TID) de hasta 75 krad(Si) para low dose rate (LDR) con una transferencia de energía lineal (LET) de 60 MeV x cm2/mg o 86 MeV x cm2/mg para (SEE). El ISL71001SEHM está asignado para una TID de hasta 100 krad(Si) para HDR.

ISL73033SLHM

El ISL73033SLHM combina un controlador FET GaN y un FET GaN en un encapsulado para simplificar el diseño de puerta y mejorar la eficiencia. Reduce el área ocupada un 20 por ciento en comparación con un MOSFET 0.5 rad-hard SMD.

Se caracteriza por un VDS de 100 V y un IDS de 30 A con 7,5 mΩ (típico) RDSON, una carga de puerta total ultrabaja de 14 nC, una tensión de control de puerta regulada de 4,5 V y capacidad sink/source de 3 A/2,8 A.

ISL71610SLHM y ISL71710SLHM

Dispositivos resistentes a la radiación con encapsulado plástico

Estos aislantes digitales cuentan con tecnología de aislamiento Giant Magneto Resistive (GMR) para mejorar la tolerancia a la radiación con respecto a los optoacopladores de grado espacial existentes.

Se distinguen por un aislamiento de 2,5 kVRMS, ratios de datos de hasta 100 Mbps para el ISL71610SLHM y 150 Mbps para el ISL71710SLHM, una corriente quiescente de 1,3 mA y baja EMI sin ruido. 

ISL71001SLHM/SEHM

El nuevo regulador buck POL de 6 A aporta una elevada eficiencia de conversión de potencia en un encapsulado diminuto. Se caracteriza por una eficiencia de hasta el 75 por ciento, una frecuencia de conmutación de 1 MHz y una tensión de salida ajustable.

Renesas también ofrece productos de gestión de potencia que se pueden usar en múltiples arquitecturas de distribución de potencia. Los clientes pueden añadir los nuevos CI plásticos rad-hard a su arquitectura con un nuevo tipo de encapsulado y flujo de producción. Los modelos ISL71610SLHM e ISL71710SLHM se pueden combinar con el transceptor de bus CAN rad-hard y rad-tol y los transceptores RS-422 de la compañía para uso en sistemas de comunicación serie.

Existe más información de los dispositivos resistentes a la radiación con encapsulado plástico en este enlace.

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