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Dispositivos FET GaN en dos posibles versiones

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Disponibles en dos versiones que se suman al catálogo ya preexistente, estos dispositivos FET GaN pueden ir montados en superficie con un encapsulado especial.

Nexperia anuncia el lanzamiento de un nuevo conjunto de dispositivos FET GaN (nitruro de galio): el GAN041-650WSB de 650 V en TO-247, y GAN039-650NBB también de 650 V en CCPAK.

En ambos modelos, la compañía fabricante ha echado mano de su misma tecnología de alto voltaje GaN HEMT H2, y del encapsulado de montaje en superficie CCPAK propietario de la misma Nexperia.

El amplificador cascode dentro de estos dispositivos FET GaN permite mayores niveles de switching FOMs y de rendimiento on-state.

Entre las funcionalidades y capacidades de estos nuevos componentes electrónicos, tenemos que la nueva tecnología GaN emplea vías a través de epi, con lo que reduce los defectos y también reduce el tamaño de la die en, aproximadamente, un 24%.

El RDS(on) también se reduce a solamente 41 mΩ (máximo; 35 mΩ típicos a 25 grados) con la entrega inicial en el tradicional TO-247, con un voltaje de umbral alto y voltaje directo de diodo bajo.

La reducción se incrementará futuramente, a 39 mΩ (máximos; 33 mΩ a 25 grados) con versiones de montaje en superficie CCPAK. Debido a que las partes se configuran como dispositivos cascode, también son fáciles de manejar utilizando controladores estándar MOSFET Si.

Cumplimiento de las normativas internacionales

Dispositivos FET GaN en dos posibles versiones

Además de lo mencionado, ambas versiones cumplen con los requisitos de la certificación AEC-Q101 para su uso en aplicaciones automotrices.

El encapsulado CCPAK para montaje en superficie de Nexperia se aprovecha de la tecnología del paquete de clips de cobre de la compañía, que reemplaza a los cables internos de enlace. Dicha tecnología permite reducir las pérdidas parasitarias, optimiza el rendimiento eléctrico y térmico, y mejora la fiabilidad, según afirman desde la propia compañía.

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