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Dispositivos de memoria Flash UFS Ver. 3.1 con tecnología QLC

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Estas memorias Flash UFS Ver. 3.1 ofrecen la mayor densidad disponible a los teléfonos inteligentes de última generación.

KIOXIA Europe, fabricante de soluciones de memoria, anuncia el lanzamiento de los dispositivos de memoria embebida de almacenamiento flash universal (Universal Flash Storage – UFS) Ver. 3.1, con la tecnología Quad-Level-Cell (QLC) de 4 bits por celda de la compañía.

La tecnología innovadora QLC aporta la mayor densidad disponible en un único paquete para aplicaciones como los teléfonos inteligentes de última generación.

El dispositivo UFS proof of concept (PoC) es un prototipo de 512 gigabytes que utiliza la memoria BiCS FLASH 3D de 1 Terabit (128 gigabytes) con tecnología QLC de Kioxia. Está diseñado para cumplir los requisitos de rendimiento y densidad de las aplicaciones móviles, que son cada vez superiores debido a las imágenes con mayor resolución, las redes 5G, el vídeo 4K y similares.

UFS usa una interfaz serie que dispone de comunicación simultánea y full duplex de lectura/escritura con su dispositivo anfitrión.

Dispositivos de memoria Flash UFS Ver. 3.1 con tecnología QLC

Kioxia nos recuerda que la densidad del producto se identifica en función de la densidad de los chips de memoria en su interior, no de la capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final.

Tenéis más información de este tipo de memorias en https://business.kioxia.com/en-us/memory/mlc-nand/ufs.html

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