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Diodos de protección ESD para USB-C

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Con una capacidad extremadamente baja y un encapsulado compacto, estos diodos de protección ESD para USB-C han sido concebidos para su uso en aplicaciones móviles.

Diodos de protección ESD para USB-C TrEOS La holandesa Nexperia ha anunciado la optimización de su serie de diodos de protección TrEOS para prevenir descargas electrostáticas (ESD), pensados para su uso en interfaces de tipo USB-C.

El nuevo estándar USB 3.2 introduce un condensador opcional en las entradas Rx, por lo cual Nexperia ha lanzado dos grupos de dispositivos, uno de los cuales proporciona una extremada robustez ante picos para su ubicación entre el conector y el condensador, y el segundo de estos grupos que presenta un disparo de voltaje extremadamente bajo, pensado para su ubicación entre el condensador y el chip del sistema.

La tecnología de protección TrEOS ESD desarrollada por Nexperia utiliza una rectificación activa controlada mediante silicio para entregar una combinación que proporciona una capacitancia extremadamente baja (con una resistencia dinámica inferior a 0,1 ohmios), y una robustez excepcionalmente alta ante picos y pulsos ESD (de hasta 20A 8/20 microsegundos para líneas de datos muy rápidas).

Su tiempo de encendido es también muy rápido, de cerca de 0,5 nanosegundos, y los dispositivos pueden soportar descargas de contacto de hasta 30 kV, lo que representa superar la especificación IEC 61000-4-2 de nivel 4.

Estos diodos de protección ESD para USB-C de Nexperia con tecnología TrEOS para aplicaciones en las que la protección se ubica antes del condensador, ya se encuentran disponibles en ratios de corriente de pico de pulso de 9,5, 15 y 20 A para condiciones 8/20 IEC61000-4-5.

Gracias a sus características, estos diodos permiten que los dispositivos con conectividad USB-C puedan ofrecer velocidades de hasta 20 Gbps, y cargas de hasta 100 W.

Los dispositivos con tecnología TrEOS que se ubican después del condensador ofrecen un rendimiento con unos voltajes de disparo bajos, por debajo de los 4,3 V. Esta es una funcionalidad relevante cuando hablamos de interfaces microUSB y USB de tipo A.

Formato para los nuevos diodos de protección ESD para USB-C

El encapsulado de los diodos TrEOS emplea el ampliamente utilizado factor de forma 0603. Entre las ventajas del encapsulado DSN0603-2 (SOD962-2) se encuentran su tamaño compacto, su robustez, y la ausencia de cables de enlace, lo cual elimina otro modo de fallo y redunda en una menor inductancia para una protección más rápida.

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