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Convertidor para fuentes de alimentación

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Convertidor para fuentes de alimentación

Mornsun, representada de Electrónica OLFER, anuncia la serie QA01C, un nuevo convertidor para fuentes de alimentación, diseñado para utilizar como un módulo en fuentes CC/CC con el circuito conductor MOSFET SiC.

El nuevo convertidor para fuentes de alimentación trabaja con una entrada nominal de 15 VCC (13,5 a 16,5 VCC) y salidas de +20 VCC y -4 VCC, ambos con 100 mA de corriente de salida.

Con sus características de baja resistencia y baja corriente de fuga, cumple los requisitos de este tipo de MOSFET. El modo de conexión para sus dos salidas independientes se realiza internamente para mejorar el suministro de energía del dispositivo en el encendido y el apagado.

Entre las aplicaciones generales del convertidor para fuentes de alimentación se incluye la conmutación de convertidores de potencia, servomotores de corriente alterna, equipos de soldadura, conversión de energía industrial y sistemas de alimentación ininterrumpida.

Algunas de las características más destacables en el convertidor para fuentes de alimentación son:

  • Aislamiento de 3500 Vac.
  • Carga capacitiva hasta 220 uF.
  • Capacidad de aislamiento de 3.5 pf.
  • Temperatura de funcionamiento desde -40 °C hasta 105 °C.
  • Proporciona una eficiencia hasta el 83%.
  • Encapsulado en SIP.
  • Protección contra cortocircuitos.

Modo de funcionamiento en el convertidor para fuentes de alimentación

El driver conductor MOSFET SiC recibe la tensión de accionamiento de 20 V y apaga la tensión de polarización de -4 V del QA01C. A fin de evitar daños a los diferentes electrodos, se precisa añadir un par de diodos zener para absorber la tensión de pico.

Además, se recomienda la utilización de aislamiento del acoplador óptico para lograr el aislamiento de la señal entre el circuito de control y el circuito de alimentación principal, ya que el optoacoplador tiene su punto más alto CMRR (30 KV) con una elevada tensión de aislamiento que podría provocar un pequeño retardo a la hora de satisfacer la alta frecuencia característica de estos MOSFET.