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Convertidor con GaNFast CC-CC quarter-brick de 300 W y 400 V

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El convertidor con GaNFast CC-CC quarter-brick de 300 W y 400 V DQB300D375S28 proporciona el doble de potencia a las fuentes de alimentación en entornos industriales, telecomunicaciones y centros de datos.

Navitas Semiconductor y Density Power Solutions anuncian el primer convertidor DC-DC quarter brick estándar de 300 W y 400 V en usar circuitos integrados (CI) de potencia GaNFast para cumplir los requisitos de aplicaciones de alta fiabilidad, como sistemas de control industrial, equipos de comunicación y sistemas de alimentación distribuida.

El nitruro de galio (GaN) es una tecnología de semiconductor de potencia de próxima generación que ofrece una velocidad cien veces superior a los antiguos chips de silicio, con mejoras en ahorro de energía y densidad de potencia.

Los circuitos de potencia GaNFast de Navitas integran un FET GaN con funciones de control y protección para poder triplicar la alimentación en la mitad de tamaño y peso. Estos circuitos se usan en el mercado de carga rápida de móviles y dispositivos de consumo desde 2018. Con el respaldo de compañías como Lenovo, Xiaomi, OPPO y NVIDIA, la tecnología GaN se puede aprovechar en la distribución HVDC de 400 V en aplicaciones industriales, telecomunicaciones y centros de datos.

Detalles importantes para el diseño

El nuevo convertidor con GaNFast CC-CC DQB300D375S28 posee una salida nominal de 28 V en un encapsulado quarter brick DOSA estándar (60 x 39,1 x 12,7 mm) que ayuda a simplificar la instalación y la actualización.

Sobre un rango de entrada de 330 a 425 VDC y una temperatura operativa de -40 a +100 ℃, el HQBS entrega 300 W en 30 cc sin limitación. Esto supone “una de las mejores densidades de su clase (10 W/cc) y entre dos y cinco veces más de potencia que cualquier otro convertidor quarter brick DOSA de alta tensión”.

Convertidor con GaNFast CC-CC quarter-brick de 300 W y 400 V

Además, los circuitos integrados de potencia GaNFast Navitas NV6117 se usan en una topología hard-switched half-bridge con una frecuencia operativa de 400 kHz y una eficiencia de hasta el 95 por ciento con carga completa. Esto se traduce en un ahorro considerable de la pérdida de energía en comparación con los convertidores de silicio “antiguos”.

Y, para finalizar, las características se completan con una tensión de aislamiento de 2250 VDC y un diseño de alta calidad que dota de un MTBF de más de 500.000 horas.

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