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Convertidor para aplicaciones gate-drive

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Convertidor para aplicaciones gate-driveMSC Technologies ha presentado el nuevo convertidor para aplicaciones gate-drive DC-DC 17D-18D0618NA3KV de Yuan Dean Scientific (YDS) que está especialmente indicado en aplicaciones de driver de puerta de MOSFETs e IGBTs.

Este convertidor de 3 W en encapsulado SIP-7 se caracteriza por su tensión de entrada de 18 V ±10 por ciento y su salida dual de 18 V / 85 mA y -6 V / 250 mA, así como por un aislamiento primario / secundario de 3 kV (2 s / 0.5 mA).

A diferencia de los convertidores DC-DC estándares para uso general, el nuevo convertidor para aplicaciones gate-drive satisface las necesidades específicas de los componentes electrónicos MOSFET e IGBT.

Independientemente de si están basados en silicio o carburo de silicio (SiC), hay que tener en cuenta ciertos criterios de elección: los transistores SiC garantizan un apagado seguro y rápido con un pico de tensión negativa apropiado y una puesta en marcha con un pulso fuerte de voltaje positivo para beneficiarse de todas las ventajas de SiC. Estas tensiones deben ser proporcionadas de forma rápida y fiable por el convertidor.

Detalles en el convertidor para aplicaciones gate-drive

En términos generales, los convertidores DC-DC que dirigen transistores con elevadas frecuencias de conmutación y alta dv / dt tienen más estrés que otras aplicaciones industriales y de consumo. Por ello, para aumentar la fiabilidad de la circuitería es necesario diseñar el transformador de controlador con baja capacitancia de acople y aislamiento I/O de alta calidad.

La apuesta de YDS por el I+D permite responder a los requerimientos individuales de parámetros eléctricos de cada proyecto.

 

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