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IGBTs de cuarta generación 1200 V para automoción e industria

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Los nuevos IGBTs de cuarta generación 1200 V ofrecen baja pérdida y alta resistencia al cortocircuito, posicionándose como una solución eficiente para compresores eléctricos de vehículos e inversores industriales.

ROHM Semiconductor, un destacado fabricante en el sector de los componentes electrónicos, ha lanzado al mercado una nueva gama de IGBTs de cuarta generación con una tensión nominal de 1200 V y calificación de calidad automotriz AEC-Q101.

Además, estos dispositivos presentan una baja pérdida y alta tolerancia a cortocircuitos, lo que los convierte en una opción fiable para aplicaciones en compresores eléctricos de vehículos, calentadores de alta potencia e inversores industriales.

El diseño de estos IGBT ha sido optimizado para responder a las demandas actuales de sistemas de alta tensión tanto en automoción como en equipos industriales, donde los requerimientos de alta eficiencia y fiabilidad son esenciales.

Así, al integrar encapsulados como el TO-247-4L y el TO-247N en modelos discretos (RGA80TRX2HR, RGA80TRX2EHR, RGA80TSX2HR, RGA80TSX2EHR) y variantes en bare chip (SG84xxWN), la gama ofrece opciones versátiles y escalables para los desarrolladores de sistemas electrónicos industriales.

Características avanzadas para entornos de alta tensión

Los nuevos IGBT de ROHM son una respuesta a las crecientes exigencias en cuanto a eficiencia energética y compacidad en los sistemas de alta tensión.

Estos dispositivos han sido diseñados para ofrecer baja pérdida en conmutación y conducción, con una capacidad de resistencia a cortocircuitos que destaca en el sector al lograr un tiempo de hasta 10 µs (Tj=25 °C).

Además, mantienen una tensión de resistencia de 1200 V que cumple con los requisitos de la norma AEC-Q101 para la fiabilidad en aplicaciones automotrices, gracias a una estructura interna optimizada y un diseño periférico avanzado.

El encapsulado TO-247-4L se diferencia al integrar un terminal de emisor Kelvin, que permite una conmutación de alta velocidad. Este diseño no solo mejora la eficiencia, sino que reduce significativamente las pérdidas.

Las pruebas realizadas en inversores trifásicos muestran que este encapsulado reduce las pérdidas en un 24 % en comparación con productos estándar y en un 35 % frente a encapsulados convencionales, lo cual es una ventaja importante en términos de eficiencia para aplicaciones de accionamiento de motores.

Seguridad y diseño simplificado para aplicaciones industriales y automotrices

El encapsulado TO-247-4L está diseñado para soportar hasta 1100 V en entornos de “grado de contaminación 2”, lo cual asegura una línea de fuga adecuada entre pines y permite su aplicación en sistemas de mayor tensión sin comprometer la seguridad.

IGBTs de cuarta generación 1200 V para automoción e industria

El mencionado encapsulado facilita el diseño de sistemas a los fabricantes al eliminar la necesidad de medidas adicionales en el lado del dispositivo para garantizar la línea de fuga, lo que contribuye a reducir la carga de diseño y mejorar la fiabilidad en aplicaciones de automoción e industriales.

Con el lanzamiento de estos IGBT de 4.ª generación de 1200 V, ROHM no solo responde a las demandas actuales de eficiencia y durabilidad, sino que también reafirma su compromiso de continuar expandiendo su gama de dispositivos de alto rendimiento para aplicaciones industriales y automotrices que requieren miniaturización y eficiencia energética.

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