Los controladores de puertas para MOSFET SiC en automoción, modelos SIC118xKQ SCALE-iDriver, que poseen la certificación AEC-Q100, incorporan funciones de seguridad y protección.
Power Integrations anuncia que los modelos SIC118xKQ SCALE-iDriver, unos controladores de puerta monocanal de elevada eficiencia para MOSFET de carburo de silicio (SiC), ha obtenido la certificación AEC-Q100 para el sector de la automoción. Estos dispositivos se pueden configurar para soportar los requisitos de tensión de los MOSFET e incorporan diversas funciones de seguridad y protección.
El SIC1181KQ (750 V) y el SIC1182KQ (1200 V) SCALE-iDriver están optimizados para dirigir aplicaciones en el automóvil, exhibiendo una salida de carril a carril, rapidez de conmutación de puerta, tensión de alimentación unipolar que soporta tensiones de salida positivas y negativas, capacidad de gestión de potencia y voltaje y aislamiento reforzado.
Las funciones de seguridad crítica abarcan monitorización Drain to Source Voltage (VDS), lectura de sensor, Undervoltage Lock-out (UVLO) primaria y secundaria, control de puerta con corriente limitada y Advanced Active Clamping (AAC) que facilita una operación segura.
AAC, en combinación con la monitorización VDS, consigue un apagado seguro en menos de 2 µs durante condiciones de cortocircuito, mientras que el control de puerta y ACC ayudan a minimizar la resistencia, lo que se traduce en reducción de pérdidas de conmutación y aumento de la eficiencia del inversor.
Y, al beneficiarse del control SCALE-iDriver y las funciones de seguridad con su tecnología de comunicación FluxLink de alta velocidad, Power Integrations proporciona grandes ventajas con respecto a acopladores magnéticos aislados opto, capacitivos y de silicio (Si). Esto incrementa la capacidad de aislamiento y respalda el diseño seguro y eficiente de inversores de hasta 300 kW con muy pocos componentes externos.
Otras características importantes en los controladores
Los nuevos modelos SIC118xKQ monocanal ofrecen hasta 8 A para adecuarse a las necesidades de los MOSFET SiC con tensiones de emisor de puerta estándares desde +15 V, con varios voltajes negativos en el rango de -3 a -15 V.
Estos controladores, que se distinguen por una elevada inmunidad de campo magnético externo, se encuentran disponibles en un encapsulado eSOP compacto que proporciona un creepage and clearance de ≥9.5 mm, usando material con el mayor nivel CTI (CTI = 600 por IEC 60112).
