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Controladores de puertas para MOSFET SiC

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Los controladores de puertas para MOSFET SiC en automoción, modelos SIC118xKQ SCALE-iDriver, que poseen la certificación AEC-Q100, incorporan funciones de seguridad y protección.

Power Integrations anuncia que los modelos SIC118xKQ SCALE-iDriver, unos controladores de puerta monocanal de elevada eficiencia para MOSFET de carburo de silicio (SiC), ha obtenido la certificación AEC-Q100 para el sector de la automoción. Estos dispositivos se pueden configurar para soportar los requisitos de tensión de los MOSFET e incorporan diversas funciones de seguridad y protección.

El SIC1181KQ (750 V) y el SIC1182KQ (1200 V) SCALE-iDriver están optimizados para dirigir aplicaciones en el automóvil, exhibiendo una salida de carril a carril, rapidez de conmutación de puerta, tensión de alimentación unipolar que soporta tensiones de salida positivas y negativas, capacidad de gestión de potencia y voltaje y aislamiento reforzado.

Las funciones de seguridad crítica abarcan monitorización Drain to Source Voltage (VDS), lectura de sensor, Undervoltage Lock-out (UVLO) primaria y secundaria, control de puerta con corriente limitada y Advanced Active Clamping (AAC) que facilita una operación segura.

AAC, en combinación con la monitorización VDS, consigue un apagado seguro en menos de 2 µs durante condiciones de cortocircuito, mientras que el control de puerta y ACC ayudan a minimizar la resistencia, lo que se traduce en reducción de pérdidas de conmutación y aumento de la eficiencia del inversor.

Y, al beneficiarse del control SCALE-iDriver y las funciones de seguridad con su tecnología de comunicación FluxLink de alta velocidad, Power Integrations proporciona grandes ventajas con respecto a acopladores magnéticos aislados opto, capacitivos y de silicio (Si). Esto incrementa la capacidad de aislamiento y respalda el diseño seguro y eficiente de inversores de hasta 300 kW con muy pocos componentes externos.

Otras características importantes en los controladores

Controladores de puertas para MOSFET SiC

Los nuevos modelos SIC118xKQ monocanal ofrecen hasta 8 A para adecuarse a las necesidades de los MOSFET SiC con tensiones de emisor de puerta estándares desde +15 V, con varios voltajes negativos en el rango de -3 a -15 V.

Estos controladores, que se distinguen por una elevada inmunidad de campo magnético externo, se encuentran disponibles en un encapsulado eSOP compacto que proporciona un creepage and clearance de ≥9.5 mm, usando material con el mayor nivel CTI (CTI = 600 por IEC 60112).

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