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Componentes innovadores de seguridad

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Transistores activos

Transistores

En 2017, la empresa Littlefuse adquirió otro fabricante importante de la industria electrónica con componentes innovadores: la marca IXYS.

La empresa se especializa en la producción de componentes semiconductores innovadores, principalmente transistores de potencia semiconductores, que no podían faltar en la oferta de TME.

En su catálogo, además de transistores, también se puede encontrar diodos, rectificadores, drivers y tiristores firmados por la marca IXYS.

Algunos de estos productos están disponibles en forma de módulos semiconductores discretos

IGBTs

Los transistores IGBT, es decir, los transistores bipolares con entrada aislada se están convirtiendo cada vez más en una alternativa a los MOSFET.

Son atractivos en términos de precio, tienen una baja tensión de conmutación y son la solución óptima para aplicaciones de alta corriente o alta tensión. La variante básica de estos componentes es el diseño NPT ( Non Punch Through ). Gracias a la gran zona de trabajo segura (APS), funcionan bien en controladores de motores eléctricos.

La desventaja de los transistores IGBT-NPT es su lento apagado (en comparación con los MOSFET) y la presencia de una corriente remanente en el colector. Este problema se resuelve con la tecnología Punch Through (IGBT-PT), que consiste en colocar un búfer en las capas de los componentes, lo que acelera la recombinación de cargas en el transistor.

Transistor IGBT IXDP20N60BD1
Transistor IGBT IXDP20N60BD1

Como resultado, el apagado se asocia con pérdidas de energía más bajas y el componente obtiene un coeficiente de temperatura negativo, es decir, el voltaje en él disminuye con el aumento de temperatura. Este tipo de elementos se utilizan en fuentes de alimentación, convertidores de tensión CC, etc.

La oferta de TME incluye transistores IGBT de ambos tipos, colocados en carcasas estándar diseñadas para montaje en superficie y orificio pasante.

Módulos IGBT con tecnología XPT

La tecnología XPT Extreme-light Punch-Through, es decir, una variante de la solución de PT caracterizada por el uso de una capa tampón extremadamente fina.

Módulos IGBT IXA60IF1200NA
Módulos IGBT IXA60IF1200NA

De esta manera, se logra una baja resistencia térmica de los componentes, se aumenta la frecuencia de conmutación máxima, se reduce aún más la tensión de conmutación y se reducen las pérdidas de energía.

Los IGBT fabricados con esta tecnología están disponibles directamente en los almacenes de TME en una versión modular.

Transistores MOSFET

Los transistores MOSFET de potencia de la serie POLAR se desarrollaron como un compromiso entre precio y especificaciones atractivas.

Sus características más importantes son: baja resistencia de fuente de drenaje (RDS) en el estado de encendido y una carga baja requerida en la puerta para encender el transistor.

Por lo tanto, los transistores POLAR pueden funcionar de manera eficiente en aplicaciones con un amplio espectro de frecuencias. Al mismo tiempo, para su funcionamiento, se utilizan elementos pasivos de menores dimensiones, lo que reducirá el tamaño y peso del dispositivo.

Así, toda la serie POLAR está bien protegida contra las corrientes que se producen al manipular cargas inductivas como motores, electroimanes, bobinas, etc.

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