El MOSFET AONS30300 de baja resistencia está optimizado para aplicaciones de 12 V en la infraestructura del centro de datos.
Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento del modelo AONS30300, un MOSFET de 30 V con baja resistencia (on–resistance).
El AONS30300, que se caracteriza por una elevada capacidad de área operativa segura (SOA), están especialmente indicado en aplicaciones como sistemas reemplazables sin parar la carga (hot swap) y fusibles electrónicos (eFuse).
Una SOA alta resulta esencial en aplicaciones con servidores hot swap donde los MOSFET necesitan ser robustos para poder gestionar la corriente de entrada. El AONS30300 garantiza la robustez SOA por debajo de 10 VDS con un ancho de pulso de 10 ms y tiene un límite SOA de ~48 V.
El nuevo MOSFET de 30 V se encuentra disponible en un sencillo encapsulado DFN 5×6 y posee una Rd(son) de hasta 0,58 mΩ, con una tensión Gate–Source aplicada igual a 10 VGS. Además, está asignado para una Tj de 175 °C.
“La fiabilidad es un parámetro esencial en la infraestructura del centro de datos. Este el motivo por el que los MOSFET con una SOA elevada resultan críticos en las actuales aplicaciones reemplazables sin parar la carga, donde los diseñadores deben incorporar los componentes más robustos y fiables para cumplir los estrictos requisitos. Hemos diseñado el AONS30300 con altas capacidades SOA y baja resistencia con el objetivo de ayudar a los clientes a satisfacer las necesidades de cada aplicación”, señala Peter H. Wilson, director de la línea de productos MOSFET de AOS.
Así pues, para aquellos lectores interesados en más información del MOSFET de 30 V ir a este enlace.
