Las series R60xxXNx y R60xxWNx son MOSFET de superconexión de 600 V para circuitos de alimentación con montaje superficial y alta disipación térmica.
Las nuevas series R60xxXNx y R60xxWNx de ROHM integran transistores MOSFET, acrónimo de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, de superconexión de 600 V orientados a fuentes de alimentación de alta densidad en servidores, centros de datos y equipos industriales.
La gama responde a la necesidad de reducir pérdidas eléctricas y generación térmica en etapas de potencia sometidas a mayores cargas de procesamiento.
Además, los nuevos dispositivos emplean encapsulados de montaje superficial para facilitar diseños compactos sin renunciar a una disipación eficiente del calor.
Encapsulados DFN8080-5L y TOLL para alta densidad de potencia
En concreto, las series amplían la oferta con encapsulados DFN8080-5L de 8,0 × 8,0 × 0,85 mm y TOLL de 11,68 × 9,9 × 2,3 mm, ambos adecuados para montaje superficial en placas de alimentación.
Por tanto, los diseñadores pueden abordar fuentes de alimentación con menor ocupación de placa y mejor transferencia térmica hacia el sistema mecánico.
Su perfil bajo resulta útil en convertidores de potencia para servidores de inteligencia artificial, es decir, IA, y en equipos industriales con espacio interno limitado.
Asimismo, la huella estándar de estos encapsulados ayuda a simplificar sustituciones en circuitos existentes y estrategias de aprovisionamiento multifuente.
R60xxXNx y R60xxWNx con VGS(th) de 3 V a 5 V
La tensión umbral de compuerta VGS(th), necesaria para activar el MOSFET, se sitúa entre 3 V y 5 V, un rango habitual en productos estándar para etapas de conmutación.
Gracias a esta característica, la integración resulta compatible con distintas condiciones de control de puerta en fuentes con topologías ya validadas.
Por otro lado, las mejoras en admitancia permiten incrementar la versatilidad del componente y reducir pérdidas frente a las series convencionales R60xxYNx y PrestoMOS R60xxVNx.
La familia incluye 21 modelos R60xxXNx de conmutación de alta velocidad y 11 modelos PrestoMOS R60xxWNx con recuperación rápida para diseños que priorizan eficiencia y compatibilidad.
Aplicación en fuentes de alimentación y electrónica profesional
En aplicaciones de alimentación para centros de datos, estos MOSFET ayudan a contener las pérdidas de conversión cuando aumenta la potencia de salida disponible en volúmenes reducidos.
También aportan una vía de actualización para fabricantes de equipos que necesitan mantener compatibilidad de diseño sin modificar de forma extensa la arquitectura eléctrica.
La producción en serie comenzó de forma escalonada en junio de 2026, con disponibilidad inicial en encapsulado TOLL para las referencias R6020XNJ2, R6038XNJ2, R6049XNJ2, R6055XNJ2, R6024WNJ2 y R6035WNJ2.
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