El XHP 2 CoolSiC MOSFET es un módulo de potencia de 2300 V con tecnología SiC para convertidores de alta tensión en sistemas renovables y almacenamiento energético.
Los nuevos XHP 2 CoolSiC MOSFET de Infineon Technologies son módulos de potencia con transistores MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) de carburo de silicio (SiC) para sistemas de energía de alta tensión.
La ampliación de la familia XHP 2 incorpora dispositivos de clase 2300 V que admiten tensiones de bus de continua, o DC-link, de hasta 1500 V.
Con esta arquitectura, los diseñadores de electrónica de potencia pueden abordar convertidores de mayor tensión sin abandonar una plataforma modular orientada a equipos de alta densidad energética.
Arquitectura XHP 2 CoolSiC para convertidores de alta tensión
La familia comprende las variantes FF1000UXTR23T2M1, FF1300UXTR23T2M1, FF2000UXTR23T2M1 y FF1000UXTR23T2M1_B5, con valores de resistencia en conducción RDS(on) entre 1 mΩ y 2 mΩ.
Además, los módulos ofrecen tensiones de aislamiento de 4 kV o 6 kV, por lo que facilitan la adaptación a distintas topologías de convertidor y requisitos de aislamiento eléctrico.
La tecnología SiC reduce las pérdidas de conmutación y conducción frente a soluciones convencionales basadas en silicio, en consecuencia mejora el rendimiento del semiconductor dentro del inversor.
Por otro lado, el encapsulado XHP 2 proporciona un comportamiento de conmutación simétrico que simplifica el paralelado en convertidores de gran potencia.
Esta característica resulta relevante en diseños escalables, ya que permite equilibrar eficiencia, corriente disponible y prestaciones dinámicas según las necesidades del sistema final.
Eficiencia en inversores para renovables y almacenamiento
En aplicaciones de energía eólica, fotovoltaica y almacenamiento en baterías, los XHP 2 CoolSiC MOSFET permiten elevar la frecuencia de conmutación para reducir armónicos y disminuir el tamaño del sistema.
Asimismo, la plataforma integra la tecnología de interconexión .XT, desarrollada para mejorar la fiabilidad del ensamblado interno y prolongar la vida operativa del módulo.
Las variantes también pueden suministrarse con material de interfaz térmica preaplicado, lo que ayuda a mantener un comportamiento térmico consistente durante el montaje sobre disipador.
En una demostración para energía eólica, la plataforma alcanzó una densidad de potencia de 300 kW/L, mientras que en sistemas de almacenamiento en baterías registró pérdidas de semiconductor inferiores al 0,7 % de la potencia de salida.
Desde el punto de vista del diseño electrónico, estos resultados ayudan a optimizar convertidores de alta tensión donde la disipación, el volumen y la eficiencia condicionan directamente la arquitectura del equipo.
Los módulos XHP 2 CoolSiC MOSFET de 2300 V ya forman parte del catálogo del fabricante y de sus socios de distribución.
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, aislamiento de 4 o 6 kV y alta densidad para convertidores.){kind=link}