El nuevo MOSFET 100 V CCPAK1212 ofrece una resistencia de conducción de tan solo 0,99 mΩ y soporta corrientes superiores a 460 A, garantizando máxima eficiencia en aplicaciones automotrices de 48 V.
El nuevo MOSFET 100 V CCPAK1212 de Nexperia se presenta en encapsulado de cobre con clip de 12 x 12 mm, cualificado según AEC-Q101 para su integración en sistemas de automoción exigentes.
Con una resistencia RDS(on) mínima de 0,99 mΩ, el dispositivo permite una corriente segura superior a 460 A, resultando idóneo para cargadores de a bordo, inversores de tracción y sistemas de gestión de baterías en plataformas de 48 V.
Eficiencia en diseños de alta potencia
Los fabricantes de automóviles migran de 12 V a 48 V con el objetivo de incrementar la eficiencia, reducir peso y ampliar la autonomía de los vehículos eléctricos e híbridos.
En estas arquitecturas, la reducción de pérdidas de conducción resulta crítica, por lo que se suelen conectar varios MOSFETs en paralelo, aumentando el número de componentes y el espacio requerido.
Gracias a su alta densidad de potencia y encapsulado compacto, el mosfet 100 V CCPAK1212 reduce la necesidad de dispositivos en paralelo y ahorra hasta un 40 % de espacio en PCB respecto a alternativas TOLL o TOLT.
Gestión térmica avanzada
El nuevo dispositivo se basa en una plataforma de trinchera de silicio de última generación, combinada con el excelente rendimiento térmico del encapsulado CCPAK1212, que alcanza una resistencia térmica de 0,1 K/W.
De esta manera, se obtiene una elevada capacidad de corriente, alta densidad de potencia y un área de operación segura de hasta 400 A a 100 V.
Para maximizar la flexibilidad de diseño, se ofrecen versiones con refrigeración por la parte superior (CCPAK1212i) y por la parte inferior (CCPAK1212), facilitando la integración en layouts compactos y optimizados.
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