Disponibles en encapsulados DFN5x6 y DFN8x8 de tipo-SMD, los MOSFET superunión de 600 y 700 V, modelos αMOS5, que cumplen los requisitos de eficiencia y densidad de muchas aplicaciones.
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) anuncia el lanzamiento de nuevas familias de MOSFET de superunión (Super Junction) αMOS5 de 600 y 700 V en encapsulados DFN5x6 y DFN8x8 de tipo-SMD.
αMOS5 es la última generación de MOSFET de alta tensión de la compañía y está diseñada para cumplir los requisitos de eficiencia y densidad de cargadores rápidos, adaptadores, PC Power, servidores, sistemas de alimentación industriales, telecomunicaciones y centros de datos hiperescala.
Estos nuevos MOSFET superunión de 600 y 700 V en encapsulado DFN8x8 tienen un tamaño de 64 mm², un 57 por ciento menos que un D2PAK, y su grosor de 0,9 mm es un 80 por ciento inferior.
La inductancia de fuente mucho menor del encapsulado DFN8x8 también ayuda a reducir significativamente el gate ringing y la Turn-on loss (Eon) y mejorar la fiabilidad de todo el sistema.
Además, disponen de conexión Kelvin Source, que contribuye a aumentar el rendimiento de conmutación al reducir la pérdida de conmutación en fuentes separadas.
Las versiones DFN5x6, por su parte, tienen un formato de 30 mm², un 61 por ciento menor al de un DPAK, y un grosor de 0,75 mm, un 67 por ciento menos. Su baja inductancia de fuente resulta idónea en conmutación rápida y distribución de PCB de pequeñas dimensiones.
Los primeros MOSFET superunión DFN αMOS5 en llegar al mercado son dispositivos de 600 V y 210 mΩ en DFN8x8 (AONV210A60) y de 700 V y 660 mΩ y 1,6 Ω en DFN5x6 (AONS660A70F y AONS1R6A70, respectivamente).
En el futuro, AOS suministrará MOSFET con un rango más amplio de Rds(on) y ratio MSL 1.
