Nueva familia de transistores GaN rugerizados que incorpora una de las primeras soluciones con certificación DLA JANS fabricadas íntegramente con tecnología GaN.
Infineon Technologies ha anunciado los primeros modelos de una nueva serie de transistores de nitruro de galio (GaN) endurecidos por radiación, fabricados en sus propias instalaciones mediante su tecnología CoolGaN.
Estos nuevos dispositivos están diseñados para funcionar en entornos espaciales exigentes y se convierten en los primeros transistores GaN producidos internamente que obtienen la certificación más alta de fiabilidad otorgada por la Agencia Logística de Defensa de Estados Unidos (DLA), bajo la especificación MIL-PRF-19500/794 de la norma JANS (Joint Army Navy Space).
Diseñados para misiones espaciales críticas
Los nuevos transistores de tipo HEMT (High Electron Mobility Transistor) GaN han sido concebidos para su uso en vehículos espaciales en órbita, misiones tripuladas y exploraciones en el espacio profundo.
Gracias a la combinación de las prestaciones del GaN y los más de 50 años de experiencia de Infineon en aplicaciones de alta fiabilidad, los nuevos dispositivos ofrecen eficiencia líder en su clase, una excelente gestión térmica y gran densidad de potencia, permitiendo diseños más ligeros, compactos y fiables.
Esta gama GaN complementa el portafolio de MOSFET de silicio endurecidos por radiación de la compañía, ofreciendo una solución completa de potencia para aplicaciones espaciales.
Rendimiento en un encapsulado cerámico robusto
Las tres primeras versiones de los transistores GaN rugerizados tienen una tensión nominal de 100 V y una capacidad de 52 A.
Presentan una resistencia RDS(on) típica de solo 4 mΩ y una carga de puerta (Qg) de 8,8 nC. Todos los modelos se encapsulan en empaques cerámicos herméticos de montaje superficial y están endurecidos frente a efectos de evento único (SEE) hasta un valor LET de 70 MeV·cm²/mg.
Dos de estos dispositivos, aún sin certificación JANS, están clasificados para dosis totales de ionización (TID) de 100 krad y 500 krad. El tercero, también con TID de 500 krad, sí está cualificado bajo la exigente especificación MIL-PRF-19500/794.
Certificación pionera en el sector
Infineon se convierte así en el primer fabricante en obtener la certificación DLA JANS para dispositivos GaN fabricados íntegramente de forma interna.
Este reconocimiento implica niveles rigurosos de cribado y control de calidad para garantizar el rendimiento y la fiabilidad exigidos en aplicaciones de vuelo espacial.
Además, la compañía está realizando múltiples lotes de producción antes del lanzamiento oficial con certificación JANS, con el fin de asegurar la fiabilidad del proceso a largo plazo.
Disponibilidad y perspectivas
Las muestras de ingeniería y las placas de evaluación ya están disponibles.
El lanzamiento del modelo JANS definitivo se espera para el verano de 2025. Asimismo, se prevé la incorporación de nuevos modelos con diferentes tensiones y corrientes para ofrecer mayor flexibilidad en el diseño de soluciones espaciales eficientes y fiables.
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