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Tecnología ReRAM para microcontroladores

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Mouser Electronics, un distribuidor mundial de recursos de ingeniería y de componentes semiconductores y electrónicos, ha empezado a vender los MN101L, microcontroladores de 8 bit de Panasonic, los primeros microcontroladores con memoria RAM resistiva interna (ReRAM).

Tecnología ReRAM para microcontroladoresLa ReRAM resistiva es una nueva memoria integrada no volátil que ofrece cinco veces el rendimiento de escritura de una memoria flash o de una EEPROM sin la necesidad de un ciclo de borrado. Esto tiene la ventaja de ofrecer alta velocidad de escritura no volátil y largos tiempos de funcionamiento en dispositivos de alimentación de batería.

Los microcontroladores MN101L de 8 bits de Panasonic, disponible, en Mouser Electronics, tienen un total de 64 KBytes de ReRAM. 62 KBytes se utilizan en el área de memoria de programa de manera similar a la memoria flash convencional. 2 KBytes de ReRAM se utilizan en el área de memoria de datos de manera similar a la EEPROM. La ReRAM requiere una tensión de escritura de sólo 1,8 V. La ReRAM de memoria del programa tiene una autonomía de 1K ciclos de escritura mientras la ReRAM utilizada como memoria de datos tiene una autonomía de hasta 100K ciclos de escritura. La retención de datos es de 10 años.

Tecnología de memoria ReRAM

La RAM resistiva de Panasonic se basa en una estructura de celda en la que un binario “1” y “0” se lee en base a la resistencia de un óxido de película delgada de metal (óxido de tántalo) intercalada entre dos electrodos en la parte superior y en la parte inferior del óxido metálico. El estado de la celda de memoria se cambia a un “1” mediante la aplicación de una tensión de pulsos negativa al electrodo superior. Esto hace que los iones de oxígeno migren al óxido de tántalo, reduciendo la resistencia y haciendo a la célula conductora de la electricidad.

El estado de la célula se cambia a un “0” mediante la aplicación de una tensión de pulsos positiva de pulsos al electrodo superior. Esto hace que los iones de oxígeno migren fuera del óxido de tántalo, aumentando la resistencia y haciendo a la célula no conductora.

La estructura simple de un óxido de metal apilada verticalmente entre dos electrodos resulta en un excelente bajo consumo de energía y en características de reescritura de alta velocidad.