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SRAM IP embebida de ultra bajo consumo

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SRAM IP embebida de ultra bajo consumosureCore ha anunciado la disponibilidad inmediata de la primera SRAM IP embebida de ultra bajo consumo. El nuevo diseño FDSOI de 28 nm se dirige a aquellas aplicaciones que demandan larga duración de batería con mínimo gasto de energía durante la operación y stand-by.

Soportando un rango de tensión operativa de 0.7 a 1.2 V, esta SRAM IP embebida Single Port se distingue por una ahorro de energía que supera el 50 por ciento. La nueva IP también reduce la potencia estática hasta un 35 por ciento (con el único inconveniente de ocupar un 10 por ciento más de espacio).

La FDSOI SRAM IP de 28 nm de sureCore es el primer producto de un roadmap que incluye la introducción de una Ultra Low-Power SRAM Bulk CMOS de 40 nm a finales de año. La compañía también trabaja en una solución Bulk CMOS de 28 nm.

La memoria embebida ha ganado protagonismo en diseños SoC para respaldar múltiples procesadores que rinden con numerosas aplicaciones de software. Sin embargo, históricamente la SRAM ha demostrado tener “hambre de alimentación”. Por ello, la nueva SRAM IP embebida de sureCore reduce drásticamente la potencia dinámica y estática a través de técnicas patentadas de diseño de circuito.

La tecnología SRAM IP de sureCore es particularmente atractiva para desarrolladores de electrónica wearable e IoT, donde la duración de la batería y la disipación de calor son aspectos cruciales.

Comentarios sobre la nueva SRAM IP embebida

“La industria de los semiconductores debe hacer frente a muy diversas aplicaciones, desde dispositivos wearables a IoT y Cloud Computing e, incluso, automoción. Aquí se suele requerir mínimo consumo y máxima disipación de calor. sureCore ha diseñado su nueva solución con el objetivo de minimizar la potencia dinámica y estática para sacar el mayor provecho de estas tecnologías”, señala Paul Wells, CEO de sureCore.