Inicio Componentes activos Serie XS de IGBTs discretos de baja pérdida

Serie XS de IGBTs discretos de baja pérdida

764
0

La necesidad de una sociedad descarbonizada demanda instalaciones e infraestructuras cada vez más eficientes.

Los semiconductores de potencia son dispositivos esenciales en la conversión y el control de energía en equipos como fuentes de alimentación ininterrumpidas (SAI), sistemas de acondicionamiento de potencia (PCS) y cargadores de vehículos eléctricos (VE).

Por este motivo, Fuji Electric anuncia la incorporación de un producto asignado a 1200 V a su serie XS de IGBT discretos que ayuda a reducir la pérdida de potencia durante la conmutación (pérdida de conmutación) y los flujos de electricidad en el circuito (pérdida de estado estable) y, en consecuencia, ahorrar energía y costes.

Este modelo de 1200 V, que se une a la oferta de soluciones de 650 V, aumenta la capacidad y pretende responder a un mayor número de equipos y aplicaciones.

La serie XS ofrece IGBT de séptima generación que llevan a cabo una compensación entre la pérdida de conmutación y de estado estable mediante la optimización de la estructura del chip y reducción del grosor del sustrato de silicio (Si). Las pérdidas de conmutación y de estado estado disminuyen un 6 y un 20 por ciento, respectivamente, con respecto a otros productos convencionales.

Ideal en SAI, PCS y cargadores de VE, el nuevo modelo de 1200 V se suministra en un encapsulado TO-247 y en este enlace, puedes encontrar más especificaciones técnicas, características o esquemas de uso.

Serie XS de IGBTs discretos de baja pérdida

Versiones disponibles para suministro

  • FGW40XS120C: 40 A y FWD integrado
  • FGW75XS120C: 75 A y FWD integrado
  • FGW40XS120: 40 A y FWD no integrado
  • FGW75XS120: 75 A y FWD no integrado

Dejar una respuesta

Please enter your comment!
Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.