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SDRAM LPDDR4 de 2, 4 y 8 GB para electrónica móvil

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Nuevas memorias SDRAM LPDDR4 de 2, 4 y 8 Gb para electrónica móvil que contribuyen a alargar la vida la batería de los dispositivos al combinar eficiencia y prestaciones.

Alliance Memory amplía su oferta de SDRAM de bajo consumo móviles CMOS de alta velocidad con nuevos dispositivos LPDDR4 con ECC on-chip. Con la intención de mejorar el rendimiento y la eficiencia en comparación con las SDRAM LPDDR3 de la anterior generación, los modelos AS4C128M16MD4-062BAN de 2 Gb, AS4C256M16MD4-062BAN y AS4C128M32MD4-062BAN de 4 Gb y AS4C256M32MD4-062BAN de 8 Gb combinan mínimo consumo y máxima rapidez en un encapsulado FBGA de 200-ball (10mm x 14.5mm x 1.1mm).

Con una operación de 1,1/1,8 V, los dispositivos lanzados pretenden incrementar la vida de la batería en electrónica portátil para los mercados de consumo e industria, incluyendo tabletas, wearables, consolas de juego y sistemas de navegación personales.

Así, al aumentar la eficiencia para audio avanzado y vídeo de alta resolución en aplicaciones embebidas, las SDRAM LPDDR4 alcanzan velocidades de reloj de 1,6 GHz y, por lo tanto, respaldan ratios de transmisión de 3,2 Gbps.

Para el sector del automóvil, incluyendo sistemas de infoentretenimiento y de ayuda al conductor (ADAS), estos modelos con la calificación AEC-Q100 operan en el rango de temperatura de -40 a +105 °C.

Además, las nuevas SDRAM LPDDR4 se organizan con un canal (AS4C128M16MD4-062BAN y AS4C256M16MD4-062BAN) y dos canales (AS4C128M32MD4-062BAN y AS4C256M32MD4-062BAN) por dispositivo, con canales individuales compuestos por ocho bancos de 16 bits.

Por otro lado, ofrecen una operación totalmente simultánea con longitudes burst de lectura y escritura programables de 16 y 32. Además un sensor de temperatura on-chip controla el índice de refresco (self-refresh).

SDRAM LPDDR4 de 2, 4 y 8 GB para electrónica móvil

Con una mínima contracción de matriz, estas SDRAM LPDDR4 ofrecen un reemplazo fiable y compatible pin a pin para numerosas soluciones similares en aplicaciones de sistemas de memoria de alto rendimiento y elevado ancho de memoria, eliminando la necesidad de rediseños y recalificación de componentes.

Modelos suministrables

  • AS4C128M16MD4-062BAN: 2 Gb con ECC – 128 Mb x 16.
  • AS4C256M16MD4-062BAN: 4 Gb con ECC – 256 Mb x 16.
  • AS4C128M32MD4-062BAN: 4 Gb con ECC – 128 Mb x 32.
  • AS4C256M32MD4-062BAN: 8 Gb con ECC – 256 Mb x 32.

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