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Resortes para retención de múltiples transistores

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Realizados en acero inoxidable, los resortes para retención de múltiples transistores de Fischer se adaptan a los distintos tipos de transistores de la misma fabricante.

Fischer Elektronik presenta sus nuevos resortes para retención que disponen de la capacidad para múltiples transistores.

Dependiendo de la aplicación y sus requisitos, el montaje de semiconductores electrónicos en un disipador de calor, juega un papel importante y no menospreciable, para el cual Fischer Elektronik ofrece varios productos como opciones de montaje en la forma de distintos resortes de retención para transistores.

Estos garantizan una alta presión de contacto, así como un contacto permanente y fiable, y una buena transferencia de calor constante entre el dispositivo y el disipador.

Para tal propósito, Fischer Elektronik anuncia la ampliación de la gama de productos de resortes de retención de transistores mencionada anteriormente, en la cual incluye nuevos modelos de transistores múltiples universales de las series THFM 11 y THFM 20.

Funcionamiento de los resortes

Estos resortes para retención de múltiples transistores están hechos de acero inoxidable, con un grosor de 0,8 mm, y también presentan una altura de instalación baja. Además, el contorno y las dimensiones de los resortes de retención THFM 11 y THFM 20 se adaptan a los distintos tipos de transistores, como los TO 218, TO 220, TO 247, TO 248 y TO 264.

Los resortes de retención universales para múltiples transistores tienen varios elementos de retención individuales montados en una tira y a una cierta distancia los unos de los otros, por lo que el cliente puede seleccionar libremente el número de elementos de retención entre 1 y 10, adaptando así el resorte a la aplicación que deba servir.

Resortes para retención de múltiples transistores

La tira de resorte de retención se fija entonces al disipador de calor o a otro punto de montaje por medio de una conexión atornillada, de modo que la geometría del resorte presione el dispositivo desde arriba mediante el efecto de palanca o, como método de montaje alternativo, podamos insertar los transistores debajo del resorte.

Tenemos toda la información sobre las distintas opciones a nuestro alcance en su correspondiente página web.

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