Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su prepresentada Bourns ha presentado su nuevo protector ante sobretensiones de tiristor bidireccional, el TISP4011H1BJ, el cual ofrece un voltaje de ruptura muy bajo.
Diseñado para limitar los daños provocados por las sobretensiones, este nuevo protector proporciona protección optimizada de dos puntos para transformadores de bobina, electrónica de bajo voltaje, y líneas de telecomunicaciones digitales.
Junto a otros miembros de la misma familia TISP40xxH1BJ, el modelo TISP4011H1BJ de protector ante sobretensiones presenta un voltaje de ruptura -V(bo), de breakover voltage– muy bajo, de 10,5 V, lo cual permite a los diseñadores proteger las líneas con voltajes de trabajo de hasta 5,25 V.
Proporciona una excelente protección ante condiciones de sobreestrés eléctrico (EOS, electrical overstress), proporciona no solamente sobrepaso de baja tensión, sino también baja capacitancia.
El diseño permite ahorrar espacio, siendo tiristores bidireccionales simétricos disparados por voltaje, que se alojan en un paquete para su montaje en superficie con factor de forma de encapsulado SMB.
Otras características destacables en el protector ante sobretensiones
El TISP4011H1BJ de Bourns cumple con la normativa RoHS y se encuentra libre de halógenos, siendo respetuoso con el medio ambiente.
El estado del voltaje de pico repetitivo es de ±5,25 V, con una temperatura de unión de entre -40 y +150 grados centígrados, y una corriente de pulso de pico no repetitiva de ±100 A a 10/1000 µs, y de ±500 A a 2/10 µs.
La corriente de fuga es de 200 µA como máximo (1 µA típica), la tensión de ruptura típica es de 9 V (con un máximo de 10,5), mientras que la corriente de ruptura típica es de 75 mA (con un máximo de 200 mA).
El voltaje cuando se encuentra en estado on es de 3 V como máximo, mientras que la corriente de retención es de 60 mA típica con un mínimo de 20 mA, y la capacitancia en estado off es de 110 pF.
