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PLEA85 Inductores de bajo perfil para circuitos de alimentación

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Con un grosor de 0,55 mm, los inductores PLEA85 con materiales magnéticos avanzados ayudan a aumentar la eficiencia de dispositivos wearables.

TDK Corporation anuncia la introducción de su nueva serie PLEA85 de inductores de alimentación de alta eficiencia desarrollados para wearables alimentados por batería y otros dispositivos, aumentando los tiempos de actividad.

Los nuevos modelos PLEA85 son uno de los inductores de alimentación más delgados de su clase, consecuencia del uso de un material magnético de baja pérdida desarrollado por TDK y sus técnicas de procesamiento de película delgada.

Perfil de 0,55 mm

Con unas dimensiones de 1 x 0,8 x 0,55 mm, las unidades de la serie PLEA85 permiten a los ingenieros miniaturizar su diseño para poder beneficiarse de circuitos integrados (CI) de bajo perfil, como los CSP. El electrodo en la parte inferior y la forma (parcial) de “L” en el lateral hacen que sean idóneos en montaje superficial de alta densidad, eliminando los fallos de emplazamiento durante el montaje y aumentando la fortaleza térmica para crear productos finales más robustos.

También se caracterizan por un bobinado en oro que se puede montar en el encapsulado LD y una tolerancia de ±1 por ciento en resistencia y valor B, aspectos esenciales en aplicaciones como sensado de temperatura de LD para transceptores de comunicación óptica y LiDAR.

Por lo tanto, TDK responde a la demanda de dispositivos wearables con mayor rendimiento y densidad y, en un futuro cercano, tiene previsto seguir ampliando su línea de inductores de bajo perfil.

Modelos

PLEA85 Inductores de bajo perfil para circuitos de alimentación
  • PLEA85DCAR47M-1PT00: Inductancia de 0,47 μH (±20 por ciento), resistencia en CC de hasta 120 mΩ, Isat de hasta 0,7 A e Itemp de hasta 1 A.
  • PLEA85DCA1R0M-1PT00: Inductancia de 1 μH (±20 por ciento), resistencia en CC de hasta 300 mΩ, Isat de hasta 0,6 A e Itemp de hasta 0,85 A.
  • PLEA85DCA2R2M-1PT00: Inductancia de 2,2 μH (±20 por ciento), resistencia en CC de hasta 600 mΩ, Isat de hasta 0,4 A e Itemp de hasta 0,55 A.

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