Los nuevos MOSFETs SuperQ de 150 y 200 V destacan por su eficiencia, una resistencia de conducción mínima y pérdidas de conmutación hasta 2,1 veces inferiores a otros dispositivos, redefiniendo los límites de la tecnología de silicio.
La compañía iDEAL Semiconductor ha anunciado la entrada en producción de su innovadora tecnología SuperQ, con los primeros productos disponibles en la gama de 150 V y nuevas muestras en 200 V.
SuperQ representa la primera gran evolución en el diseño de MOSFETs de silicio en más de veinticinco años.
Esta arquitectura rompe con las limitaciones tradicionales del silicio al aumentar hasta un 95 % la región de conducción tipo n y reducir las pérdidas de conmutación hasta 2,1 veces frente a dispositivos convencionales.
Eficiencia mejorada en conmutación y conducción
El diseño estructural de SuperQ permite disminuir notablemente la resistencia y las pérdidas de potencia, sin renunciar a las ventajas propias del silicio, como su robustez, la fabricación a gran escala y la fiabilidad demostrada hasta 175 °C de temperatura de unión.
El primer modelo disponible de la serie de 150 V es el iS15M7R1S1C, un MOSFET de 6,4 mΩ encapsulado en formato PDFN 5 x 6 mm. El encapsulado incluye terminales expuestos para facilitar el montaje y mejorar la fiabilidad a nivel de placa.
Muestras de 200 V y futuros desarrollos
En paralelo, la serie de 200 V se encuentra en fase de muestreo con el modelo iS20M6R1S1T, que ofrece una resistencia RDS(on) de 6,1 mΩ en encapsulado TOLL de 11,5 x 9,7 mm. Este valor es un 10 % inferior al líder actual del sector y un 36 % menor que el segundo mejor competidor.
Además del TOLL, la compañía está muestreando versiones en formatos TO-220, D2PAK-7L y PDFN, cubriendo así una amplia variedad de aplicaciones y requisitos de integración.
De cara al futuro, iDEAL prepara nuevas plataformas de 300 V y 400 V, orientadas a cubrir segmentos de tensión poco atendidos por la tecnología de silicio convencional. Estas futuras referencias prometen ofrecer resistencias aún más bajas, lo que ampliará las posibilidades en eficiencia y rendimiento.
Arquitectura preparada para el futuro de la electrónica de potencia
Mientras la industria ha dependido durante décadas de tecnologías como RESURF o Superjunction, el rendimiento alcanzado por estas arquitecturas ha tocado techo. SuperQ plantea una alternativa que, según la propia empresa, será clave en aplicaciones críticas emergentes como automatización industrial, centros de datos con IA y electrificación global.
Esta arquitectura también ha sido diseñada para extenderse más allá de los MOSFETs, aplicándose a IGBTs, diodos, circuitos integrados de potencia y potencialmente a nuevos materiales semiconductores, consolidándose como una base tecnológica para la próxima generación de electrónica de potencia.
Los dispositivos de potencia de silicio de iDEAL están diseñados, desarrollados y fabricados íntegramente en los Estados Unidos, y se ofrecen en encapsulados compatibles con los estándares del mercado como TO-220, ITO-220, TO-247, D2PAK-3L, D2PAK-7L, DPAK, TOLL, TOLT y PDFN 5 x 6.
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