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MOSFETs CoolSiC con tecnología M1H

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Optimizados para sistemas de 1.500 V, los MOSFETs CoolSiC ya se encuentran disponibles en forma de muestras.

Infineon, especialista en soluciones de semiconductores, anuncia la expansión de la serie CoolSiC de MOSFETs para responder a la creciente demanda de alta densidad de potencia que lleva a los desarrolladores a adoptar los enlaces de 1.500 VDC en sus aplicaciones para incrementar la potencia por inversor y reducir el coste de los sistemas.

No obstante, los sistemas basados en los 1.500 VDC también comportan desafíos para el diseño del sistema, como la conmutación rápida con un voltaje CC alto, la cual requiere habitualmente una topología multinivel.

Es para hacer frente a estos retos de diseño que los MOSFETs CoolSiC ofrecen 2 kV trabajan con los diodos SiC (carburo de silicio, la misma tecnología empleada en los MOSFETs) de 2 kV para ofrecer 1.500 VDC.

Usos por su tecnología

Los nuevos MOSFETs SiC son útiles para aplicaciones de generación energética fotovoltaica, carga de vehículos eléctricos, y sistemas de almacenamiento de energía, y combinan tanto las pérdidas de baja conmutación y alto bloqueo de voltaje en un único dispositivo que cumple de forma óptima los requisitos de los sistemas de 1.500 VDC.

La tecnología CoolSiC ofrece un bajo valor de resistencia de fuente de drenaje (R DS(on)). Además, el cuerpo rugerizado del diodo permite la conmutación dura (hard switching), y todo ello permite un suficiente margen para el sobrevoltaje y ofrece una tasa FIT provocada por los rayos cósmicos diez veces inferior a la habitual en comparación con los MOSFETs SiC de 1.700 V.

Además, el rango extendido de voltaje operativo de la puerta también contribuye a la facilidad para utilizar este dispositivo.

MOSFETs CoolSiC con tecnología M1H

La base tecnológica de este chip MOSFET SiC es la avanzada tecnología M1H desarrollada por la propia Infineon, que la compañía presentaba recientemente, y que permite precisamente una ventana de voltaje mayor que mejora la resistencia para un tamaño de die determinado. A la par, la mayor ventana de voltaje de puerta proporciona una mayor robustez.

Ya se encuentran disponibles muestras de estos componentes en módulos EasyPACK 3B y de 62 mm, con encapsulados TO247-PLUS discretos de alto voltaje pendientes de llegar.

Tenemos más información en el sitio web de Infineon.

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