El MOSFET Super Junction de 600 V AOTL037V60DE2 amplía las posibilidades de diseño en fuentes de alimentación e inversores al combinar alta eficiencia, elevada densidad de potencia y una robustez optimizada para aplicaciones de electrónica de potencia exigentes.
El nuevo AOTL037V60DE2 de Alpha and Omega Semiconductor se presenta como el primer dispositivo de alta tensión basado en la plataforma αMOS E2 de MOSFET Super Junction de 600 V, orientada a aplicaciones de electrónica de potencia que requieren altos niveles de eficiencia y fiabilidad.
Dicho MOSFET se desarrolla para responder a las necesidades actuales de fuentes de alimentación conmutadas de media y alta potencia, así como de inversores solares y sistemas industriales, donde la reducción de pérdidas y el aumento de la densidad de potencia resultan determinantes.
En este contexto, los MOSFET Super Junction se han consolidado como una solución preferente en topologías críticas como Totem Pole PFC, convertidores LLC resonantes, PSFB y arquitecturas de inversores tipo cyclo, al permitir un equilibrio óptimo entre eficiencia y robustez.
Arquitectura Super Junction optimizada para alta eficiencia
La plataforma αMOS E2 se diseñó con una arquitectura avanzada que optimiza el comportamiento en conmutación, reduciendo de forma significativa las pérdidas dinámicas en aplicaciones de soft-switching.
El AOTL037V60DE2 integra una resistencia RDS(ON) máxima de 37 mΩ, lo que contribuye a minimizar las pérdidas por conducción y facilita el diseño de sistemas con mayor densidad de potencia.
La implementación de un diodo intrínseco de cuerpo robusto permite afrontar escenarios de conmutación exigentes, como la recuperación inversa durante eventos anómalos de arranque o cortocircuito.
Durante las evaluaciones internas, el dispositivo demostró la capacidad de soportar un di/dt de 1300 A/µs bajo condiciones específicas de corriente directa y a una temperatura de unión de 150 °C.
Robustez eléctrica y fiabilidad en aplicaciones exigentes
El AOTL037V60DE2 ofrece una elevada capacidad frente a avalanchas UIS y un mayor tiempo de soportación ante cortocircuitos, lo que se traduce en un funcionamiento más estable frente a situaciones fuera de régimen.
Dicha robustez resulta especialmente relevante en sistemas de alimentación AC/DC, convertidores DC/DC e inversores DC/AC, donde los transitorios eléctricos pueden comprometer la fiabilidad a largo plazo.
Asimismo, el diseño del MOSFET evita el autoencendido no deseado, asegurando un comportamiento controlado incluso bajo condiciones dinámicas de operación.
El encapsulado TOLL contribuye a mejorar la disipación térmica y facilita la integración en diseños compactos orientados a aplicaciones de alta potencia.
Por sus características eléctricas y mecánicas, el dispositivo resulta adecuado para fuentes de alimentación industriales, rectificadores para telecomunicaciones, estaciones de trabajo, servidores e inversores fotovoltaicos.
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