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Láminas para encapsulados de aislamiento

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Láminas para encapsulados de aislamientoPanasonic ha presentado un nuevo material para sustratos de empaquetamiento sin núcleo, pensado para la capa en los sustratos de los encapsulados de aislamiento de los semiconductores.

La serie CV2008 se presenta en forma de láminas, y gracias a ello permite dotar a los encapsulados de semiconductores de un perfil más bajo y de menor coste.

El material de encapsulación en forma de láminas, que entrará en producción masiva a partir de este próximo mes de junio, ha sido optimizado para las capas de aislamiento del substrato de empaquetamiento sin núcleo.

Está habilitado para encapsulación de grandes áreas, permitiendo que los encapsulados más delgados sean manufacturados a un menor coste.

Con la disminución del tamaño debido a la superior compactación y las siempre crecientes funcionalidades de los terminales móviles como los smartphones, los paquetes utilizados en estos productos necesitan perfiles más bajos y un menor coste.

Estas láminas para encapsulados de aislamiento de Panasonic eliminan la necesidad de un proceso de perforación por láser ya que producen un grosor de capa de aislamiento uniforme ideal para el nuevo proceso coreless.

La capa de aislamiento para un empaquetado de sustrato puede ser producida utilizando un proceso de prensado de gran área, permitiendo la producción de los empaquetados a un menor coste. El grosor de la lámina se encuentra en el rango que va de los 20 a los 200 micrómetros.

Algunas propiedades de las láminas para encapsulados de aislamiento

La alta rigidez del material de la lámina de encapsulamiento minimiza cualquier deformación de los paquetes y contribuye a un perfil más fino. El módulo de elasticidad es de 17.000 MPa a 25 grados centígrados.

Una tasa de contracción baja del material permite asegurar que la fiabilidad de la conexión se mantenga durante los procesos de reflujo de alta temperatura, aumentando el rendimiento de la producción del proceso de montaje de paquetes. La tasa de contracción es de 0,003%, mientras que la tasa de encogimiento antes y después del reflujo de IR es de hasta 250 grados centígrados, 4 pases (JIS K-6911).

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