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JFET SiC de 1200 V para IGBT y MOSFET

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Los JFET SiC de 1200 V para IGBT y MOSFET de la serie UJ3C1200 satisfacen las necesidades de fases de corrección de factor de potencia (PFC), rectificadores de frontend activo y convertidores LLC y Phase Shift Full Bridge.

JFET SiC de 1200 V para IGBT y MOSFETUnitedSiC ha anunciado la serie UJ3C1200 de JFET SiC con el objetivo de satisfacer las necesidades de eficiencia y densidad de potencia de diseñadores de fases de corrección de factor de potencia (PFC), rectificadores de frontend activo y convertidores LLC y Phase Shift Full Bridge.

Con una ratio de tensión de 1200 V y resistencia (on-resistance) de 80 y 40 mΩ, estos dispositivos ofrecen una alternativa eficaz para muchos IGBT, Si-MOSFET y SiC-MOSFET, sin cambio de circuitería de controlador de puerta. Esto simplifica las actualizaciones de diseño y reduce la necesidad de componentes adicionales.

Basada en la tecnología de transistor SiC Gen 3 de UnitedSiC, la serie UJ3C1200 integra un JFET SiC con un SI-MOSFET a medida para proporcionar la “combinación ideal” de operación normalmente-OFF, diodo de alto rendimiento y controlador de puerta del MOSFET con los valores de eficiencia, velocidad y temperatura del SiC JFET.

Como resultado, los sistemas existentes pueden esperar un aumento de prestaciones con menores pérdidas de conducción y conmutación, una mejora de las propiedades térmicas y la integración de protección ante descarga electrostática (ESD) – HBM Clase 2.

En nuevos diseños, los modelos UnitedSiC UJ3C1200 permiten frecuencias de conmutación para poder beneficiarse de mejoras sustanciales en lo que se refiere a eficiencia y reducción de tamaño y coste de componentes pasivos, como elementos magnéticos y condensadores.

Anup Bhalla, Vicepresidente de Ingeniería de UnitedSiC, destaca que “estos nuevos JFET SiC ayudan a desplegar tecnología SiC sin tener que preocuparse de la complejidad de controlador de puerta. El diodo de alto rendimiento y la protección ante ESD de puerta aportan valor añadido a los diseñadores”.

Usos posibles para los nuevos JFET SiC

Las aplicaciones finales incluyen cargadores de vehículos eléctricos (VE) on-board, soluciones de recarga de batería para carretillas, inversores fotovoltaicos y sistemas de empalme.

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