Inicio Componentes activos IGBTs híbridos con diodo de SiC integrado

IGBTs híbridos con diodo de SiC integrado

2194
0

ROHM Semiconductor anuncia nuevos IGBTs híbridos con diodo de barrera Schottky de SiC integrado de 650 V, la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR y RGW00TS65CHR).

Así, los componentes cuentan con calificación según la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101, siendo la opción ideal para aplicaciones de automoción e industriales que manejan grandes potencias, como los acondicionadores de energía fotovoltaica, los cargadores de a bordo y los convertidores CC/CC utilizados en vehículos eléctricos y electrificados (xEV).

La serie RGWxx65C utiliza los diodos de barrera Schottky de SiC de bajas pérdidas en el bloque de retroalimentación del IGBT como diodo de circulación libre que casi no tiene energía de recuperación y, por lo tanto, con una pérdida de conmutación del diodo mínima.

Además, puesto que la corriente de recuperación no tiene que ser manejada por el IGBT en el modo de encendido, la pérdida de encendido del IGBT se reduce significativamente.

Así, ambos efectos dan como resultado una pérdida hasta un 67% menor que la de los IGBT convencionales y un 24% menor que la de los MOSFET de superconexión (MOSFET SJ) cuando se utilizan en cargadores de vehículos. Este efecto proporciona un buen rendimiento de los costes, al tiempo que contribuye a un menor consumo de energía en aplicaciones industriales y de automoción.

En los últimos años, los esfuerzos mundiales por reducir la carga ambiental y lograr una sociedad neutra en carbono y descarbonizada han impulsado un crecimiento espectacular de los vehículos electrificados (xEV).

IGBTs híbridos con diodo de SiC integrado

Al mismo tiempo, está en marcha la diversificación de los semiconductores de potencia utilizados en diversos circuitos de inversores y convertidores de vehículos, necesaria para configurar sistemas más eficientes, además de la innovación tecnológica tanto de los dispositivos de potencia de SiC de pérdidas ultrabajas como de los dispositivos de potencia de silicio convencionales.

Materiales de apoyo al diseño

En el sitio web de Rohm también encontrarás una amplia gama de datos de diseño, incluidos modelos de simulación (SPICE) y notas de aplicación sobre el diseño de los circuitos de accionamiento, necesarios para la integración y la evaluación que ayudan a una rápida introducción en el mercado.

Página del producto en sus distribuidores


SERVICIO AL LECTOR gratuito para ampliar info de este producto


DEJA UNA RESPUESTA

Por favor ingrese su comentario!
Por favor ingrese su nombre aquí

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.