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FET SiC de 6 mΩ para aplicaciones emergentes

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Los nueve nuevos modelos de FET SiC anunciados proporcionan mejoras en la flexibilidad del diseño.

UnitedSiC, fabricante de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), responde a la demanda de FET SiC con mejoras en rendimiento y eficiencia por parte de los diseñadores con el anuncio de un dispositivo de 750 V y 6 mΩ.

Con un valor RDS(on) de menos de la mitad de su competidor MOSFET SiC más cercano, el nuevo modelo de 6 mΩ ofrece una ratio de tiempo de resistencia al cortocircuito de 5 ms.

Esta novedad incluye nueve opciones de dispositivo/encapsulado en un FET SiC de 750 V asignado a 6, 9, 11, 23, 33 y 44 mΩ. Todas las versiones se encuentran disponibles en un encapsulado TO-247-4L, mientras que las variantes de 18, 23, 33, 44 y 60 mΩ lo hacen en un TO-247-3L.

Complementado por los dispositivos de 18 y 60 mΩ, este modelo de 750 V aporta más opciones de diseño y, por ende, mayor flexibilidad a la hora de lograr la relación coste/eficiencia óptima, manteniendo los márgenes de diseño y la robustez de circuito.

Los FET SiC Gen 4 de UnitedSiC ofrecen una “cascada” de FET SiC y un MOSFET de silicio que dota de todas las ventajas de la tecnología de banda ancha prohibida (wide band-gap): alta velocidad y bajas pérdidas con una operación a alta temperatura, junto con protección ESD integral.

Esta cuarta generación también se distingue por dotar de los valores más bajos del mercado con temperaturas de die altas y bajas, así como de reducción de la resistencia térmica.

Posibilidades de implementación

FET SiC de 6 mΩ para aplicaciones emergentes

Para aquellas aplicaciones de conmutación dura, el diodo de cuerpo integral de los FET SiC es superior en lo que se refiere a velocidad de recuperación y caída de tensión con respecto a las tecnologías de MOSFET Si o SiC

Estas mejoras técnicas en eficiencia de conmutación y resistencia satisfacen las necesidades de muy diversas aplicaciones emergentes, como controles de tracción y cargadores on-board y off-board en vehículos eléctricos y todas las fases de conversión de potencia unidireccional y bidireccional en inversores de energías renovables, corrección de factor de potencia, convertidores de telecomunicaciones y sistemas de conversión AC/DC o DC/DC.

Las aplicaciones “establecidas” también pueden aprovechar la eficiencia y la compatibilidad del dispositivo con controladores de puerta IGBT y MOSFET Si y encapsulados TO-247.

Finalmente, tenéis más información y características en https://info.unitedsic.com/gen4

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