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Diodos Schottky de 650 V para conmutación rápida

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Los diodos Schottky de 650 V para conmutación rápida presentados son modelos de sexta generación aportan mejoras en fiabilidad y eficiencia.

Diodos Schottky de 650 V para conmutación rápida Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha introducido nuevos diodos Schottky CoolSiC de 650 V de sexta generación (G6) que, manteniendo las características de la anterior familia (G5), aportan mejoras en fiabilidad, calidad y eficiencia.

Los diodos CoolSiC G6 se convierten en el complemento perfecto para las series CoolMOS 7 de 600 y 650 V y, por consiguiente, resultan ideales en aplicaciones actuales y futuras de alimentación de servidores y PC, equipos de telecomunicaciones e inversores fotovoltaicos.

Características importantes en los nuevos diodos Schottky de 650 V

Así, estos diodos presentan novedades en distribución, estructura de celda y sistema metálico. El resultado es un punto de referencia V F (1.25 V) y una figura de mérito (FOM) Q c x V F, un 17 por ciento menor que la anterior generación.

Estos modelos G6 hacen uso de las características de temperatura del SiC con independencia del comportamiento de conmutación y sin carga de recuperación inversa.

El nuevo diseño de los dispositivos contribuye a aumentar la eficiencia con cualquier condición de carga y la densidad de potencia.

Por lo tanto, estos diodos de sexta generación reduce los requisitos de refrigeración, incrementan la fiabilidad y ofrecen una conmutación extremadamente rápida.

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