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Diodos con encapsulado D²PAK real

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Soportando 1.200 V, estos diodos con encapsulado D²PAK real facilitan la realización de diseños altamente eficientes.

La germana Infineon Technologies anuncia la expansión de su familia de diodos CoolSiC Schottky de 1.200 V mediante la adición de seis nuevos modelos, los cuales tienen en común la utilización de un encapsulado D²PAK real de dos clavijas.

Gracias al uso de estos encapsulados de tipo SMD, los diseños que emplean estos diodos pueden ser más compactos y hacer su coste más asequible. Y, concretamente, el nuevo encapsulado D²PAK real de dos pines elimina la clavija del medio para ofrecer una fuga de 4,7 mm y una separación de 4,4 mm. En comparación con un encapsulado D²PAK estándar, estos diodos con el nuevo encapsulado D²PAK real mejoran claramente los márgenes de seguridad.

Encajan perfectamente en aplicaciones como las fuentes de alimentación para usos industriales, las estaciones de carga de corriente continua, las fuentes de alimentación de carga ininterrumpida, e inversores de cadena solar.

Estos diodos con encapsulado D²PAK real utilizan la tecnología CoolSiC Schottky de 1.200 V G5 de la misma Infineon, la cual ofrece una capacidad mejorada de voltaje directo, así como también mejora en el ámbito de la corriente de sobretensión.

Además, impide las pérdidas de recuperación inversa y permite un comportamiento de conmutación independiente de la temperatura. Estas son las características que permiten simplificar los diseños, ya que disminuyen los requisitos de refrigeración y también requieren de componentes magnéticos de menor volumen cuando son utilizados a mayores frecuencias de conmutación.

Los diodos CoolSiC Schottky de 1.200 V están preparados para soportar una potencia que va desde los 2 hasta los 20 A y, según afirman desde Infineon, representan el catálogo más amplio de la industria en materia de encapsulados D²PAK reales de dos clavijas.

Aplicaciones para los nuevos componentes

Diodos con encapsulado D²PAK real

Mediante el uso de estos diodos SiC (carburo de silicio), los diseños pueden alcanzar un alto nivel de densidad de potencia y fiabilidad en comparación con las soluciones de silicio (Si), han sido pensados para obtener diseños eficientes combinándolos con otras soluciones de la misma compañía fabricante, Infineon, tales como los MOSFETs CoolSiC de 1.200 V, o los IGBT6 TRENCHSTOP de 1.200 V y los circuitos integrados controladores de puertas EiceDRIVER.

Ya se encuentran disponibles para su adquisición en los distribuidores internacionales Digi-Key y Mouser Electronics.

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